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IRFP260MPBF

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1+

¥ 32.228391

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¥ 452.93285
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¥ 14.736638

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Infineon Technologies

品牌:

Infineon Technologies

型号:

IRFP260MPBF

编号:

L44047986

包装:

-

批号:

-

封装:

TO-247-3

描述:

-

  • 产品参数

产品参数

产品属性 属性值
商品目录 场效应管(MOSFET)
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 200V
连续漏极电流(Id) 50A
导通电阻(RDS(on)) 40mΩ@10V,28A
耗散功率(Pd) 300W
阈值电压(Vgs(th)) 4V
栅极电荷量(Qg) 234nC@10V
输入电容(Ciss) 4.057nF@25V
工作温度 -55℃~+175℃@(Tj)

PDF描述:HEXFET® Power MOSFET HEXFET®功率MOSFET

产品概述

IRFP260MPBF 产品概述

一、产品简介

IRFP260MPBF 是由英飞凌(Infineon)公司推出的一款高性能N通道MOSFET,封装类型为TO-247AC。这款MOSFET特别适合高功率、高压应用,具有200V的漏源电压能力及50A的连续漏极电流,因此在电源管理、逆变器、电动机驱动等领域表现出色。其卓越的性能和较宽的工作温度范围,使其成为多种现代电子设备不可或缺的元器件之一。

二、主要特性

  1. 高电压与电流能力

    • 漏源电压(VDS):200V
    • 最大连续漏极电流(ID):50A(在适当的散热条件下)
  2. 低导通电阻

    • 在VGS为10V时,28A时的最大导通电阻(RDS(on))仅为40毫欧,确保了在高负载状态下的低能量损耗。
  3. 高温工作能力

    • 工作温度范围从-55°C到175°C,符合多种恶劣环境的需求,适合航空航天、汽车电子以及工业应用中的高温环境。
  4. 优良的栅极绝缘特性

    • 栅源电压(Vgs)最大可达±20V,增强了电路设计的灵活性与可靠性。
  5. 快速开关特性

    • 在10V栅电压下,栅极电荷(Qg)最大为234nC,使其具备良好的开关性能,能够提高开关频率和响应速度。
  6. 较低的输入电容

    • 输入电容(Ciss)在25V下最大为4057pF,降低了驱动电路的负担,从而提高了系统效率。
  7. 可靠的热管理

    • 最大功率耗散可达300W(在适宜的散热条件下),有效管理热量以保证设备稳定运行。

三、应用领域

IRFP260MPBF MOSFET广泛应用于各种电子和电力设备中,包括但不限于:

  1. 电源管理

    • 适用于开关电源(SMPS)、DC-DC 变换器等,对提高能效和降低热损耗起到关键作用。
  2. 逆变器

    • 在可再生能源系统(如光伏发电、风力发电)中用于逆变器设计,以实现直流到交流的高效转换。
  3. 电动机驱动

    • 可用于AC 和DC电动机驱动电路,提高控制精度和能效,广泛应用于电动工具、家电和工业自动化领域。
  4. 汽车电子

    • 在电动车和混合动力车中,IRFP260MPBF MOSFET可用于动力控制、车载充电器及其它高功率转换应用。

四、封装特点

IRFP260MPBF采用TO-247AC封装,这种封装尺寸适中,适合高功率应用,具备良好的散热性能。该封装设计使得器件的热管理变得更加高效,并且易于安装在电路板上,适合于多种工业设备和消费电子。

五、总结

综上所述,IRFP260MPBF是一款集高性能、高可靠性与出色的热管理能力于一身的MOSFET。随着现代电子设备对能效、体积和热管理要求的不断提高,IRFP260MPBF凭借其优越的电气特性和广泛的应用前景,成为高功率、高压电子设计中的理想选择。无论是在电源管理、逆变器还是电动机驱动应用中,该MOSFET都能够提供卓越的性能和持久的可靠性,为实现未来技术的发展提供了强有力的支持。

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