产品参数
| 产品属性 |
属性值 |
| 商品目录 |
场效应管(MOSFET) |
| 数量 |
1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) |
600V |
| 连续漏极电流(Id) |
20A |
| 导通电阻(RDS(on)) |
165mΩ@10V,10A |
| 耗散功率(Pd) |
140W |
| 阈值电压(Vgs(th)) |
3V |
| 栅极电荷量(Qg) |
60nC@10V |
| 输入电容(Ciss) |
1.8nF@50V |
| 反向传输电容(Crss) |
6pF@50V |
| 工作温度 |
-55℃~+150℃ |
PDF描述:N-channel 600 V, 0.135 ohm typ., 20 A MDmesh II Power MOSFET in D2PAK, I2PAK, TO-220, TO-220FP and TO-247 packages N沟道600 V , 0.135欧姆(典型值) , 20 A的MDmesh II功率MOSFET的D2PAK , I2PAK , TO- 220 , TO- 220FP和TO- 247封装