产品参数
| 产品属性 |
属性值 |
| 商品目录 |
场效应管(MOSFET) |
| 数量 |
1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) |
900V |
| 连续漏极电流(Id) |
18.5A |
| 导通电阻(RDS(on)) |
250mΩ@10V,9A |
| 耗散功率(Pd) |
250W |
| 阈值电压(Vgs(th)) |
3V |
| 栅极电荷量(Qg) |
43nC@720V |
| 输入电容(Ciss) |
1.645nF@100V |
| 反向传输电容(Crss) |
16pF@100V |
| 工作温度 |
-55℃~+150℃ |
PDF描述:N-channel 900 V, 0.25 Ω typ., 18.5 A Zener-protected SuperMESH⢠5 Power MOSFET in a D2PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packages N沟道900 V, 0.25 I© (典型值) , 18.5齐纳保护SuperMESHâ ??在D2PAK , TO- 220FP , TO- 220和TO- 247封装¢ 5功率MOSFET