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STB34NM60ND

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STMicroelectronics

品牌:

STMicroelectronics

型号:

STB34NM60ND

编号:

L44062565

包装:

-

批号:

-

封装:

TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB

描述:

-

  • 产品参数
  • 数据手册PDF
  • 产品概述

产品参数

产品属性 属性值
商品目录 场效应管(MOSFET)
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 600V
连续漏极电流(Id) 29A
导通电阻(RDS(on)) 110mΩ@10V,14.5A
耗散功率(Pd) 190W
阈值电压(Vgs(th)) 5V
栅极电荷量(Qg) 80.4nC@10V
输入电容(Ciss) 2.785nF@50V

PDF描述:N-channel 600 V, 0.097 Ohm typ., 29 A FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) in D2PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 N沟道600 V , 0.097欧姆(典型值) , 29一FDmesh II功率MOSFET (具有快速二极管)的D2PAK , TO- 220FP , TO- 220和TO- 247

暂无产品概述

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