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2N7002
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2N7002

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2N7002K
品牌：

VISHAY(威世)

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Analog Power Inc.

品牌:

Analog Power Inc.

型号:

2N7002

编号:

L44062773

包装:

-

批号:

-

封装:

TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

描述:

-

  • 产品参数

产品参数

产品属性 属性值
商品目录 场效应管(MOSFET)
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流(Id) 115mA
导通电阻(RDS(on)) 5Ω@10V
耗散功率(Pd) 225mW
阈值电压(Vgs(th)) 2.5V
输入电容(Ciss) 50pF
反向传输电容(Crss) 5pF
工作温度 -

PDF描述：N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR N沟道增强型网络场效晶体管

产品概述

2N7002 产品概述

一、基本介绍

2N7002是一款高性能的N通道MOSFET（场效应管），其主要应用于低功耗电路和开关电源等场景。其电气特性符合现代电子设备对功率、效率及工作的严苛要求。2N7002的主要参数包括最大漏源电压60V、连续漏极电流115mA，以及功率耗散225mW。该型号MOSFET采用SOT-23封装，适合表面贴装技术（SMT），是很多小型电子产品设计的理想选择。

二、主要参数

  • 功率（Pd）：225mW，为设计人员提供了灵活的功率处理能力，尤其在小型和便携设备中，这一参数至关重要。
  • 反向传输电容（Crss@Vds）：在25V时为5pF，意味着它在高频切换应用中具有出色的性能，降低了信号损失与延迟。
  • 导通电阻（RDS(on)@Vgs,Id）：在5V和50mA条件下，RDS(on)为7Ω，表明该MOSFET在工作时表现出较低的导通损耗，提高了整体电路的效率。
  • 工作温度范围：-55℃至+150℃，使其能够在极端环境下稳定运作。
  • 漏源电压（Vdss）：60V的额定值使得2N7002能够适用于多种高电压场景，为设计提供了更大的灵活性。
  • 连续漏极电流（Id）：115mA，这一流量保证了该元件在模块中的长期稳定性和可靠性。
  • 阈值电压（Vgs(th)@Id）：在250uA条件下为2.5V，表明在较低的输入电压下即可实现开关状态的切换，非常适合低电压控制系统。

三、应用场景

2N7002广泛应用于多个领域，主要包括：

  1. 开关电源：利用该MOSFET的高开关速度和低导通损耗，使得转换器效率大幅提升。

  2. 信号放大和开关装置：在音频、电信等信号处理电路中，2N7002帮助实现高效的开关控制和信号调制。

  3. 电机驱动：在小型电机驱动电路中，使用2N7002可以有效控制电机的启停和正反转。

  4. LED驱动：在LED灯具中，通过MOSFET的快速开关特性能达到调光和闪烁效果。

  5. 便携式电子产品：由于其小型封装和低功耗特性，2N7002特别适合于手机、平板电脑等便携式设备的电源管理。

四、产品特性与优势

  • 低功耗特性：2N7002在低电流和低压条件下工作时，表现出优异的功耗效率，这对于延长电池寿命的设备尤为重要。

  • 高可靠性：广泛的工作温度范围和坚固的封装设计，使得该MOSFET能够在苛刻环境下持续工作。

  • 简单的驱动特性：相对较低的门电压阈值简化了控制电路的设计，降低了外围组件的需求，可以减少整体系统成本。

  • 快速开关速度：在现代应用中，快速开关能力是实现高效信号处理的关键，2N7002的电气特性保证了这一点。

五、总结

2N7002作为UMW（友台半导体）推出的一款重要N通道MOSFET，凭借其卓越的性能参数和广泛的适用场景，已经成为电子设计工程师与开发者的首选元器件之一。无论是在消费电子、工业控制，还是医疗等领域，2N7002都能以其精准、高效、信赖的特性为各种现代电子产品提供强大的动力和支持。通过合理的设计和应用，2N7002将能够帮助用户实现更高效的电路设计与创新。

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