找货询价

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一至周六 8:30-17:30

QQ咨询

一对一服务 找料无忧

专属客服:823711899

服务时间

周一至周六 8:30-17:30

技术支持

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一至周六 8:30-17:30

售后咨询

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一至周六 8:30-17:30

图片源于供应商或网络,实物可能存在差异,请以实物为准

BSS123

价格阶梯

售价

折合1管

1+

¥ 4.875577

¥ 4.875577
10+

¥ 3.255894

¥ 3.255894
100+

¥ 1.847761

¥ 1.847761
500+

¥ 1.168320

¥ 1.168320
1000+

¥ 1.034862

¥ 1.034862
3000+

¥ 0.838847

¥ 0.838847

购买数量

总价金额: ¥ 4.875577

加入购物车

立即购买


样品申购

推荐替代

查看更多 >
BSS123LT1G
品牌:

onsemi(安森美)

替代等级:P2P
去购买
Analog Power Inc.

品牌:

Analog Power Inc.

型号:

BSS123

编号:

L44062999

包装:

-

批号:

-

封装:

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

毛量:

0.001克(g)

描述:

-

  • 产品参数
  • 产品概述

产品参数

产品属性 属性值
商品目录 场效应管(MOSFET)
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 100V
连续漏极电流(Id) 170mA
导通电阻(RDS(on)) -
耗散功率(Pd) -
阈值电压(Vgs(th)) 2.8V
栅极电荷量(Qg) 1.4nC
输入电容(Ciss) 29pF
反向传输电容(Crss) 2pF

PDF描述:N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管

暂无产品概述
0.249105s