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2N7002K-7
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2N7002K-7

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Diodes Incorporated

品牌:

Diodes Incorporated

型号:

2N7002K-7

编号:

L44065735

包装:

-

批号:

-

封装:

TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

描述:

-

  • 产品参数

产品参数

产品属性 属性值
商品目录 场效应管(MOSFET)
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流(Id) 380mA
导通电阻(RDS(on)) 3Ω@5V，310mA
耗散功率(Pd) 370mW
阈值电压(Vgs(th)) 2.5V
栅极电荷量(Qg) 300pC
输入电容(Ciss) 50pF@25V
反向传输电容(Crss) 5pF@25V
工作温度 -55℃~+150℃

PDF描述：N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR N沟道增强型网络场效晶体管

产品概述

产品概述：2N7002K-7 N沟道MOSFET

1. 概述

2N7002K-7 是一款采用 SOT-23 封装的 N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），其特点是高效的电源开关能力、优良的导通性能和宽广的工作温度范围。这款 MOSFET 广泛应用于高效电源管理、开关调节电路和各种自动化控制设备中，因其出色的电气特性和小巧的封装而备受工程师们的青睐。

2. 主要参数

  • 漏源电压（Vdss）: 最高可达60V，适合用于高压电路。
  • 连续漏极电流（Id）: 在25°C时可以持续承受380mA的电流，适合于低功率应用。
  • 栅源极阈值电压: 关键参数为2.5V @ 1mA，确保在低电压驱动条件下依然能够有效开启器件。
  • 漏源导通电阻（Rds(on）: 最小为2Ω，确保在通电状态下的低能耗和热量生成。
  • 最大功率耗散: 370mW（在工作环境温度25°C时），适合在一定功率限制下稳定工作。
  • 工作温度范围: 从-55°C到150°C，适用于广泛的工业和商业环境。

3. 应用场景

2N7002K-7 的设计使其适用于多种应用，包括但不限于：

  • 开关电源: 在高频开关电源中作为主开关元件，以提高系统的效率和功率密度。
  • 信号开关: 可用作低频率信号的开关器件，在数据采集和控制系统中切换信号路径。
  • 电机驱动: 在小功率电机控制电路中提供有效的开关操作，从而控制电机的启停。
  • LED驱动: 在LED照明系统中作为开关元件，能够适应快速切换的要求，从而提升光效。
  • 电池保护: 保护电池组的开关，防止过充和过放电，提升整个系统的安全性。

4. 封装与安装

2N7002K-7 使用的是 SOT-23-3 封装，这种表面贴装型（SMD）封装主要因其小巧、轻便而广泛应用于现代电子设备中。SOT-23 封装的设计使得产品在 PCB 板上的占用面积最小化，同时提供了良好的散热性能。

5. 性能优势

  • 低导通电阻: 2Ω 的漏源导通电阻在低功耗设计中极具竞争力，能够有效降低能量损耗。
  • 高驱动能力: 支持5V和10V的驱动电压，适合各种控制电路的需求。
  • 可靠性: 工业级的工作温度范围使其在苛刻环境下也能保持稳定性能。

6. 结论

2N7002K-7 MOSFET的设计与性能使其成为现代电子应用中的理想选择。其高效、可靠和小巧的特点不仅可以满足各种关键应用的需求，而且能提升整体系统的效率和稳定性。无论是在消费电子、工业自动化还是电源管理领域，2N7002K-7都展现了其卓越的表现。通过进一步的设计优化与应用推广，2N7002K-7将无疑为更多的高效电路解决方案提供支持。

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