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DMN6140L-7
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DMN6140L-7

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Diodes Incorporated

品牌:

Diodes Incorporated

型号:

DMN6140L-7

编号:

L44065776

包装:

-

批号:

-

封装:

TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

描述:

-

  • 产品参数

PDF描述：Small Signal Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3

产品概述

产品概述：DMN6140L-7 N沟道MOSFET

DMN6140L-7是一款高性能的N沟道MOSFET，专为各种电子应用而设计，具有卓越的电气性能和耐环境能力。该器件的主要技术参数如下：最大漏源电压为60V，连续漏极电流能够达到1.6A（在25°C环境下），漏源导通电阻（Rds(on)）为140mΩ（在1.8A和10V的驱动电压条件下）。这些特点使得DMN6140L-7在开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用场合中具备出色的性能。

关键特性

  1. 电气特性：

    • 漏源电压（Vdss）：60V，适合大多数低压和中等电压电源管理应用。
    • 连续漏极电流（Id）：1.6A，确保在多种操作条件下的可靠性。
    • 导通电阻（Rds(on)）：140mΩ @ 1.8A, 10V，降低了功耗，提高了系统效率。
    • 栅源极阈值电压（Vgs(th)）：3V @ 250µA，便于在低压应用中驱动，提升逻辑电平兼容性。

  2. 热管理：

    • 最大功率耗散：700mW，能够处理较高的功率负载，对于多种温度条件下的高效工作至关重要。
    • 工作温度范围：-55°C至150°C，拥有极佳的热稳定性和适用性，实现了在苛刻环境中的广泛应用。

  3. 封装与安装：

    • 封装类型：SOT-23，表面贴装设计，适合现代电子设备的紧凑布局，易于自动化焊接和安装。
    • 封装外壳：TO-236-3、SC-59、SOT-23-3，提供多样的选择以适应不同的PCB设计需求。

  4. 电荷特性：

    • 栅极电荷（Qg）：8.6nC @ 10V，低栅极电荷有助于提高开关频率和降低驱动功耗，适合高效的开关操作。

  5. 输入电容：

    • 输入电容（Ciss）：最大值315pF @ 40V，低输入电容针对高频应用提供了良好的性能。

应用领域

DMN6140L-7广泛应用于以下领域：

  • 开关电源与DC-DC转换器：凭借其高效的导通特性，有效提高电源转换效率，优化功耗管理。
  • 电机驱动：在电机控制电路中用作开关元件，提供高效、平稳的驱动能力。
  • LED驱动电路：控制LED驱动电流，确保亮度可调和功耗可控。
  • 信号开关：在低功率信号开关应用中，可靠的开关特性提供了良好的信号完整性。

结论

作为DIODES(美台)的一款卓越产品，DMN6140L-7 N沟道MOSFET以其高性能的电气特性、优越的热管理能力和便捷的封装形式，为现代电子设计提供了可靠的解决方案。无论是用于电源管理、驱动控制，还是其他领域，DMN6140L-7都能满足设计师的高要求，成为他们的首选器件之一。通过这个MOSFET，设计师可以轻松实现高效、稳定的电子产品，推动技术的进一步发展。

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