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S1M-E3/61T
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S1M-E3/61T

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Vishay General Semiconductor - Diodes Division

品牌:

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

型号:

S1M-E3/61T

编号:

L44079281

包装:

-

批号:

-

封装:

DO-214AC，SMA

描述:

-

  • 产品参数
  • 产品概述

产品参数

产品属性 属性值
商品目录 通用二极管
二极管配置 -
正向压降(Vf) 1.1V@1A
直流反向耐压(Vr) 1kV
整流电流 1A
反向电流(Ir) 1uA@1kV

PDF描述：DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

S1M-E3/61T 产品概述

产品简介

S1M-E3/61T 是由著名电子元件制造商 VISHAY（威世）推出的一款高性能通用二极管。该产品设计用于广泛的电源整流和电路保护应用，凭借其卓越的电气性能和可靠性，适用于各种工业电子设备、消费电子、高频应用和汽车电子等领域。

主要特性

  1. 直流反向耐压（Vr）: S1M-E3/61T 提供高达1kV的直流反向耐压，适合高压应用环境，能够在极端条件下稳定工作。

  2. 平均整流电流（Io）: 本产品的平均整流电流为1A，使其能够满足低至中等功率的需求，适合应用于电源整流电路和电动机驱动电路等。

  3. 正向压降（Vf）: 在1A的负载电流下，S1M-E3/61T 的正向压降为1.1V，确保在使用时的能源损耗最小，提高系统的整体效率。

  4. 反向恢复时间和速度: 该二极管提供标准的恢复速度，其反向恢复时间（trr）为1.8µs，适合绝大多数整流和开关电源应用。

  5. 反向泄漏电流: 在1000V的反向电压下，反向泄漏电流仅为5µA，显示出良好的反向绝缘性能，极大地降低了电路故障的风险。

  6. 电容特性: 在4V和1MHz的条件下，S1M-E3/61T 具有12pF的电容值，适合需要较低电容特性的高频应用。

  7. 工作温度范围: 该产品的结温范围为-55°C至150°C，确保在各种工作环境中都能保持优异的性能和可靠性。

  8. 封装与安装: S1M-E3/61T 采用DO-214AC（SMA）封装，设计为表面贴装型，符合现代电子元件的小型化趋势，便于自动化贴装和提高生产效率。

应用领域

由于其优越的参数性能，S1M-E3/61T 通常用于以下应用领域：

  • 电源整流: 在交流转直流的电源整流电路中，起到关键的整流作用。
  • 电动机驱动: 适合用作直流电动机驱动电路中的保护二极管，防止反向电流对电路造成损害。
  • 高频开关电源: 由于其快速的反向恢复特性，适宜于高频开关电源等高效能电源设计。
  • 电路保护: 可用于各种数字电子产品中，为敏感元件提供可靠的过压保护。

结论

S1M-E3/61T 作为一款性能卓越的通用二极管，凭借其高反向耐压、低正向压降及优良的可靠性，成为广泛应用于现代电子电路的重要元器件。VISHAY（威世）所提供的高品质标准，确保了用户可在各种复杂环境中安心使用此产品，为电子设计过程提供了强有力的支持。无论是电源整流，还是高频应用，S1M-E3/61T 都是理想之选，为开发各种高效、可靠的电子设备奠定了基础。

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