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CMS05(TE12L,Q,M)

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Toshiba Semiconductor and Storage

品牌:

Toshiba Semiconductor and Storage

型号:

CMS05(TE12L,Q,M)

编号:

L44079742

包装:

-

批号:

-

封装:

SOD-128

描述:

-

  • 产品参数

PDF描述:DIODE SCHOTTKY 30V 5A 3-4E1A

产品概述

CMS05(TE12L,Q,M)肖特基二极管产品概述

CMS05(TE12L,Q,M)是东芝(TOSHIBA)推出的一款低压大电流肖特基二极管,针对消费电子、小型电源等场景的低损耗、高密度需求优化设计,凭借低正向压降、高浪涌耐受等核心特性,成为众多小型化电路的理想整流器件。

一、核心定位与关键特性

该器件属于低压整流型肖特基二极管,核心定位是在30V以下电压范围内,实现5A级平均电流的高效整流,同时兼顾小封装与高可靠性。其核心特性可总结为:低VF(正向压降)@高电流、强浪涌耐受、宽结温适应、小型表面贴装封装。

二、关键电气参数详解

理解参数是选型的基础,CMS05的核心参数针对性极强:

  1. 正向压降(Vf):450mV@5A
    在额定平均正向电流(5A)下,正向压降仅450mV,远低于普通硅整流二极管(通常>700mV),可显著降低整流功率损耗,减少电路发热,提升整体效率(比如65W充电器中,低VF能减少近30%的整流损耗)。
  2. 直流反向耐压(Vr):30V
    满足低压电路(5V/12V电源)的反向耐压需求,避免反向击穿风险,覆盖大多数消费电子、小型电源的电压范围。
  3. 平均整流电流(IF(AV)):5A
    持续工作电流达5A,可覆盖小型充电器、移动电源等的电流需求,无需并联多颗器件即可满足功率要求,简化电路设计。
  4. 反向漏电流(Ir):800μA@30V
    反向漏电流控制在800μA以内,反向性能稳定,减少待机功耗(比如便携设备待机时,漏电流小能延长续航)。
  5. 非重复峰值浪涌电流(Ifsm):70A
    可耐受70A瞬间浪涌(10ms级持续时间),应对开机瞬间、插拔冲击等突发电流场景,提升电路抗干扰能力(比如充电器插拔时的电流尖峰)。
  6. 工作结温范围:-40℃~+150℃
    覆盖极端环境温度,可用于低温(汽车冬季启动)、高温(电源内部发热)场景,适应宽温度范围的应用需求。

三、封装与品牌优势

  1. 封装:SOD-128
    采用小型表面贴装封装,尺寸紧凑(约1.6mm×0.8mm×0.5mm),适合高密度PCB设计,助力产品小型化(如超薄充电器、便携蓝牙设备)。
  2. 品牌:东芝(TOSHIBA)
    作为全球知名半导体厂商,东芝在肖特基二极管领域拥有成熟工艺,器件一致性好、可靠性高,且具备完善的供应链与技术支持,降低选型后的风险。

四、典型应用场景

CMS05的参数特性使其适用于以下场景:

  • 消费电子:手机/平板充电器(65W及以下)、移动电源、蓝牙耳机充电盒;
  • 小型电源适配器:笔记本便携适配器、路由器/机顶盒电源;
  • LED驱动:低压小功率LED照明(台灯、背光)的整流环节;
  • 汽车电子:车内USB充电、传感器辅助供电;
  • 工业控制:低压信号整流、小型继电器驱动电路。

五、性能优势总结

相比同类低压肖特基二极管,CMS05的优势集中在:

  • 低损耗高效:450mV@5A的低VF直接降低整流损耗,减少散热片需求;
  • 抗冲击强:70A浪涌耐受解决突发电流问题,提升产品耐用性;
  • 环境适应广:-40℃~+150℃结温范围,适配高低温场景;
  • 小型化适配:SOD-128封装支持高密度PCB,符合便携设备轻薄化趋势。

六、选型注意事项

  1. 工作电压需控制在30V以内(反向耐压上限);
  2. 持续工作电流不超过5A;
  3. 结温需控制在150℃以下,避免长期过温导致性能下降。

综上,CMS05(TE12L,Q,M)是一款高性价比的低压大电流肖特基二极管,适合对效率、尺寸、可靠性有要求的小型化电路,是消费电子、电源领域的优选器件。

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