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RB501SM-30FHT2R

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Rohm Semiconductor

品牌:

Rohm Semiconductor

型号:

RB501SM-30FHT2R

编号:

L44080207

包装:

-

批号:

-

封装:

SC-79,SOD-523

描述:

-

  • 产品参数

产品概述

RB501SM-30FHT2R 产品概述

一、产品简介

RB501SM-30FHT2R 是 ROHM(罗姆)出品的一款独立式肖特基二极管,封装为 SOD-523,适合微型化、低功耗电子产品。该器件具有低正向压降和较低反向漏电流,适合做低电压整流、保护与旁路用途。主要参数:正向压降 Vf = 350 mV(IF = 10 mA),直流反向耐压 Vr = 30 V,整流电流 100 mA,非重复峰值浪涌电流 Ifsm = 1 A,反向电流 Ir = 10 μA(VR = 10 V)。

二、主要特性与优势

  • 低正向压降:350 mV @ 10 mA,有助于降低稳压或电源线路的功耗,适合电池供电或低压轨应用。
  • 小封装:SOD-523 超小型封装,节省 PCB 面积,便于移动设备与高密度布板。
  • 适中电流能力:100 mA 的平均整流电流满足多数信号级与低功率电源应用。
  • 耐压与漏电:30 V 反向耐压和 10 μA @10 V 的低反向电流,便于用于中低电压保护与检测电路。
  • 瞬态耐受:1 A 非重复峰值浪涌电流可承受短时充放电或浪涌事件(需遵循脉宽限制)。

三、典型应用场景

  • 便携式设备的低压整流与电源保护(如耳机、蓝牙模块、传感器前端)。
  • 二次侧小电流整流、续流保护与免费轮二极管(低功率 DC-DC 辅助回路)。
  • 反向极性保护、OR-ing 电路(并联电源选择,注意功耗限制)。
  • 信号钳位、快速恢复或防反接场合(对速度和正向压降敏感的场景)。

四、布局与热管理建议

  • SOD-523 封装体积小,散热能力有限,建议在 PCB 上为阳极/阴极引脚增加铜箔面积以提升散热;避免长时间接近额定整流电流。
  • 尽量缩短与负载之间的走线,减小寄生电阻与电感。
  • 若用于脉冲或浪涌环境,应确保浪涌能量受限,或并联合适的吸收元件(如 TVS、电阻或更大功率的肖特基)分担能量。
  • 在高温环境下,肖特基的反向漏电会显著上升,需在设计中考虑温度对 Ir 的影响并保留裕量。

五、使用注意事项与对比建议

  • 虽为肖特基二极管但电流等级较低,不适合替代高功率整流器。若需要长期 100 mA 以上或更好浪涌能力,应选用更大封装或更高规格器件。
  • 在需要极低漏电的平台(如超低功耗计量)应评估 10 μA 的反向电流是否满足要求;若不满足,可选择漏电更低的器件或增加温度控制。
  • 请参考 ROHM 官方数据表获取完整的绝对最大额定值、温度系数、典型 VF 曲线及封装尺寸,以便进行准确的热与电性能仿真。

六、封装与采购信息

  • 型号:RB501SM-30FHT2R
  • 品牌:ROHM(罗姆)
  • 封装:SOD-523(超小型表贴)
  • 主要电气参数:Vf 350 mV @10 mA、Vr 30 V、Ifsm 1 A、Ir 10 μA @10 V、整流电流 100 mA。
  • 订购与替代:在选型与采购时,请以官方数据表与供货批次为准;若需要更高电流或更低漏电,可考虑同家族更大封装或同类厂商的高规格肖特基。

结语:RB501SM-30FHT2R 适合对体积、正向压降及中低电流性能有要求的便携与消费类电子设计。在最终定型前,建议进行实际电路测试(含高温、浪涌与长期老化测试)并参考 ROHM 数据表以确保设计可靠性。

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