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SE50PAJHM3/I

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Vishay General Semiconductor - Diodes Division

品牌:

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

型号:

SE50PAJHM3/I

编号:

L44082269

包装:

-

批号:

-

封装:

DO-221BC,SMA 扁平引线祼焊盘

描述:

-

  • 产品参数

PDF描述:Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.6A, 600V V(RRM), Silicon, DO-221BC,

产品概述

SE50PAJHM3/I 产品概述

一、产品简介

SE50PAJHM3/I 是 VISHAY(威世)推出的一款高耐压、高可靠性的整流二极管,单个独立封装,适用于对整流效率和热稳定性有较高要求的电源及工业电子设备。器件为表面贴装型 DO-221BC(SMPA)封装,便于自动贴装与回流焊工艺。

二、电气主要参数

  • 正向压降 (Vf):1.16 V @ 5 A(低压降,有利于降低导通损耗)
  • 直流反向耐压 (Vr):600 V,满足中高压整流场合需求
  • 额定整流电流:5 A(直流)
  • 反向泄漏电流 (Ir):10 μA(典型低泄漏,有助于提高效率与稳定性)
  • 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):42 A,能够承受启动或短时过载浪涌
  • 工作结温范围:-55 ℃ ~ +175 ℃,适应宽温度环境

三、封装与热管理

该器件采用 DO-221BC(SMPA)表面贴装封装,兼顾了电气性能与散热能力。为获得最佳热性能,建议在 PCB 设计时:

  • 在焊盘下方和周围预留足够的铜箔面积以增强散热;
  • 根据功耗分布布置热铜层与过孔,必要时将热量导入多层地/功率平面;
  • 遵循元件厂商回流焊工艺规范,避免超过推荐的回流温度和时间。

四、典型应用

  • 开关电源整流与续流
  • 工业驱动与变频电源
  • 充电器与电池管理系统整流
  • 通用整流与电源保护电路

五、可靠性与使用注意

  • 高结温上限(+175 ℃)提升了在高温或散热受限场合的可靠性,但长期工作应保证结温在安全范围内,避免持续满载导致寿命下降;
  • 虽具较高浪涌能力,设计时仍应预留适当保险或浪涌缓冲电路以防反复冲击;
  • 推荐参考 VISHAY 数据手册获取焊接曲线、机械尺寸和热阻等详细参数,严格按厂方建议操作以确保一致性与可靠性。

六、设计建议

  • 在并联或多路整流时,注意均流设计,必要时使用小阻值电阻或匹配元件以避免单颗过载;
  • 对于要求更低导通损耗的场合,可结合散热优化与软启动策略以降低功耗峰值;
  • 布局时优先考虑短回路环路和低电感走线,以减少 EMI 干扰和尖峰应力。

总结:SE50PAJHM3/I 以其 600 V 耐压、5 A 整流能力、低正向压降和优秀的浪涌承受力,适合多种中高压整流与工业电源场景。欲了解更详细的电气曲线、封装尺寸及焊接要求,请参阅 VISHAY 官方数据手册或联系经销商获取技术支持。

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