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S8CM-M3/I

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Vishay General Semiconductor - Diodes Division

品牌:

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

型号:

S8CM-M3/I

编号:

L44085343

包装:

-

批号:

-

封装:

DO-214AB,SMC

描述:

-

  • 产品参数

产品参数

产品属性 属性值
商品目录 通用二极管
正向压降(Vf) 985mV@8A
直流反向耐压(Vr) 1kV

PDF描述:DIODE GEN PURP 1KV 8A DO214AB

产品概述

S8CM-M3/I 产品概述

一、主要参数与产品定位

S8CM-M3/I 是 VISHAY(威世)出品的一款通用高压整流二极管,单个独立结结构,封装为 DO-214AB(SMC)。关键电气参数包括:正向压降 Vf ≈ 985 mV @ 8 A,直流反向耐压 Vr = 1 kV,反向电流 Ir = 10 μA,工作结温范围 Tj = -55 ℃ 至 +150 ℃。该器件面向要求高耐压和中高电流承载能力的电源整流和保护场合,兼顾可靠性与成本效益。

二、主要特性

  • 高耐压:1 kV 的反向耐压使其适合高压整流、离线电源和高压直流链路使用。
  • 中高电流能力:在 8 A 工作点下的正向压降约 985 mV,适用于大电流整流和续流场景。
  • 低漏电流:在额定反向电压条件下,反向电流约 10 μA,有利于降低空载损耗和漏电引起的热失控。
  • 宽温度范围:-55 ℃ 至 +150 ℃ 的结温等级,适应工业级及高温环境应用。
  • 表面贴装封装 DO-214AB(SMC):便于波峰/回流焊接及自动化装配,且具备较好的热传导路径。

三、典型应用场景

  • 开关电源(SMPS)一次侧整流与高压隔离侧整流;
  • 工业电源与电机驱动中的高压整流与续流保护;
  • 高压充电设备、医疗电源(需结合法规评估)、测试与测量设备的直流整流;
  • 电压钳位、反向保护、浪涌吸收电路中作为可靠的稳压/限流元件。

四、封装与热管理建议

DO-214AB(SMC)封装在 PCB 布局上应配合较宽的铜箔散热层与散热过孔,必要时在焊盘下方或附近设计多层散热铜箔或通过过孔连接至大面积散热平面。推荐尽量缩短焊盘到散热体的热阻路径,避免长细走线。在高结温或持续大电流工作时,应进行热仿真或实际温升测试并适当进行电流降额。

五、可靠性与使用注意事项

  • 反向耐压和漏电流参数通常以特定温度(如 25 ℃)为测试条件,实际应用中随温度升高漏电流会增加,需评估温度对性能的影响并留有裕量。
  • 在有浪涌或脉冲电流的场合,应参考厂方完整数据表中的最大浪涌电流和脉冲特性,避免超出瞬态极限。
  • 建议在电路设计中配合适当的限流、软启动或缓冲网络,提升系统整体可靠性。

六、采购与技术支持

型号:S8CM-M3/I,品牌:VISHAY(威世),封装:DO-214AB(SMC)。在选型与采购前,请参阅 VISHAY 官方数据表以获取详细的电气特性曲线、脉冲/浪涌能力、封装尺寸和焊接工艺建议。对于高可靠或关键应用,建议进行样机验证并与供应商技术支持确认长期供货与质量保证事宜。

如需我为您的具体应用(电压等级、工作电流谱、散热条件)做更详细的选型与热设计建议,可以提供工作工况参数,我将基于器件数据给出匹配方案。

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