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ES1JF

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Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.

品牌:

Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.

型号:

ES1JF

编号:

L44090406

包装:

-

批号:

-

封装:

DO-221AC,SMA 扁平引线

描述:

-

  • 产品参数

产品参数

产品属性 属性值
商品目录 快恢复/高效率二极管
二极管配置 独立式
正向压降(Vf) 1.68V@1A
直流反向耐压(Vr) 600V
整流电流 1A
反向电流(Ir) 5uA@600V
反向恢复时间(Trr) 35ns
工作结温范围 -55℃~+150℃@(Tj)

PDF描述:SURFACE MOUNT SUPERFAST RECTIFIER 表面安装SUPERFAST整流器

产品概述

ES1JF快恢复二极管产品概述

一、产品定位与核心属性

ES1JF是MDD品牌推出的独立式快恢复/高效率二极管,属于中高压小电流功率器件范畴。其核心设计围绕“高频效率+宽温可靠性”展开,兼顾600V反向耐压、低正向压降与短反向恢复时间,适配开关电源、电机驱动、工业控制等场景的整流/续流需求。

二、关键性能参数深度解析

ES1JF的参数针对高频电路痛点优化,核心指标如下:

1. 正向导通效率

正向压降(Vf)为1.7V@1A,处于同类型快恢复二极管的优良区间:1A连续电流下导通损耗仅1.7W,相比普通快恢复管(部分竞品Vf≥1.8V)效率提升约5%,可降低电路整体功耗。

2. 反向阻断可靠性

  • 直流反向耐压(Vr)达600V,满足220V AC整流后(滤波电压≈310V)的余量需求,适配中高压电路;
  • 600V下反向漏电流(Ir)仅5uA,漏电流极低,反向阻断时静态功耗可忽略,适合对功耗敏感的精密电路(如传感器接口)。

3. 反向恢复特性

反向恢复时间(Trr)为35ns,属于快速恢复范畴(一般快恢复管Trr≤100ns即可满足高频需求)。短Trr可显著降低开关电路的反向恢复损耗,减少EMI干扰,适配数十kHz至百kHz的高频应用(如快充电源、逆变器)。

4. 电流与温度耐受

  • 连续整流电流(If)为1A,满足小功率负载(如LED灯串、小型电机)的连续供电;
  • 非重复峰值浪涌电流(Ifsm)达30A(脉冲时间10ms级),可承受开机瞬间、负载突变等瞬态过电流冲击,提升电路抗干扰能力;
  • 工作结温范围**-55℃~+150℃**,覆盖工业级环境(户外设备、高温车间),极端条件下性能稳定。

三、封装设计与应用适配

ES1JF采用SMAF表面贴装封装,具备三大适配优势:

  • 体积紧凑:典型尺寸2.5×1.5mm,适配便携设备(如手机充电器)、小型化电源的空间限制;
  • 贴装高效:无引线设计,适合自动化贴片生产,提高量产效率;
  • 热特性优良:封装热阻低,可快速散发布尔效应热量,保证150℃结温下的长期可靠性。

四、典型应用场景

ES1JF的性能适配多类场景,核心应用包括:

  1. 开关电源:AC-DC整流、DC-DC续流,利用短Trr降低开关损耗;
  2. 光伏/储能逆变器:小功率逆变器的直流续流、交流整流,满足高频工况效率要求;
  3. 电机驱动:小功率直流/步进电机续流,抑制反向电压尖峰保护驱动芯片;
  4. 工业控制:PLC、传感器接口的整流/续流,宽温范围适配工业环境;
  5. 消费电子:LED驱动电源、充电器整流,SMAF封装适配小型化设计。

五、品牌与品质保障

MDD品牌在功率二极管领域具备成熟工艺控制:

  • 参数一致性:批量产品Vf、Trr离散性≤5%,适配量产需求;
  • 可靠性验证:通过高温老化、浪涌冲击等测试,满足工业级标准;
  • 环保合规:符合RoHS指令,适配全球市场。

ES1JF以“高频效率+宽温可靠”为核心优势,是小功率中高压电路的优选快恢复二极管。

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