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BAS21H

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Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.

品牌:

Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.

型号:

BAS21H

编号:

L44090470

包装:

-

批号:

-

封装:

SC-76,SOD-323

描述:

-

  • 产品参数

产品参数

产品属性 属性值
商品目录 开关二极管
二极管配置 独立式
正向压降(Vf) -
直流反向耐压(Vr) 200V
整流电流 200mA
反向电流(Ir) 100nA
反向恢复时间(Trr) 50ns
工作结温范围 -

PDF描述:Single high-voltage switching diode in small SOD123F package 在小SOD123F包单个高电压开关二极管

产品概述

BAS21H 产品概述

一、产品简介

BAS21H 为独立式开关二极管,封装为 SOD-323,品牌 LGE(鲁光)。该器件面向小信号高压开关应用,具备 200V 反向耐压、200mA 连续整流能力及快速恢复特性,适合空间受限的表面贴装电路中用于高压开关、脉冲整流与保护电路。

二、主要特性

  • 独立式 SOD-323 小封装,节省 PCB 面积;
  • 正向压降 Vf = 1.25V @ If = 200mA,适合中等电流开关场合;
  • 直流反向耐压 Vr = 200V,可承受较高工作电压;
  • 反向漏电流 Ir = 100nA(常温),低泄漏利于高阻抗及低功耗系统;
  • 反向恢复时间 Trr = 50ns,适合中高速开关应用;
  • 非重复峰值浪涌电流 Ifsm = 625mA,能承受瞬态冲击;
  • 工作结温范围 -55℃ 至 +150℃,耐热性良好。

三、电气参数(典型/额定)

  • 正向压降:1.25V @ 200mA;
  • 额定整流电流:200mA;
  • 耗散功率 Pd:200mW;
  • 直流反向耐压 Vr:200V;
  • 反向电流 Ir:100nA(常温);
  • 反向恢复时间 Trr:50ns;
  • 峰值浪涌 Ifsm:625mA;
  • 结温范围:-55℃ ~ +150℃。

四、典型应用

  • 开关电源次级或高压侧小信号整流;
  • 功率管理与电压钳位、保护电路;
  • 高频脉冲信号整形、采样保持电路;
  • 通信设备、仪器仪表中的高压开关与钳位元件。

五、热特性与封装

SOD-323 为微小封装,热阻相对较高,器件耗散功率 Pd = 200mW 在无外部散热时应谨慎评估。建议在 PCB 设计中增加铜箔散热区、缩短热流路径并避免长期满载工作,以防结温超限影响可靠性。封装引脚极性通常在产品图纸或封装标识中注明,安装时注意方向。

六、设计注意事项

  • 请根据最大结温与环境温度进行功率降额计算,保证长期可靠;
  • 高频开关场合注意 Trr 对电路效率及过冲的影响,必要时并联缓冲或 RC 抑制;
  • 若需更低正向压降或更快恢复时间,可考虑 Schottky 或高速肖特基/快速恢复替代器件;
  • 焊接与回流工艺应遵循厂家热循环规范,避免超温损伤。

七、采购与替代建议

品牌:LGE(鲁光)。封装:SOD-323,便于贴片自动化装配。选型时如需更高电流或更低 Vf,可查询同类 300mA 以上或 Schottky 系列器件;如需更快响应则选用 Trr < 10ns 的专用高速二极管。

如需原理图示例、热设计计算或 PCB 封装尺寸图,可提供具体请求以便进一步支持。

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