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CRH01(TE85L,Q,M)

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Toshiba Semiconductor and Storage

品牌:

Toshiba Semiconductor and Storage

型号:

CRH01(TE85L,Q,M)

编号:

L44093787

包装:

-

批号:

-

封装:

SOD-123F

描述:

-

  • 产品参数

PDF描述:DIODE 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, S-FLAT, 3-2A1A, 2 PIN, Signal Diode

产品概述

CRH01 (TE85L,Q,M) 产品概述

一、产品简介

CRH01 (TE85L,Q,M) 为东芝(TOSHIBA)推出的一款通用整流二极管,适用于中小功率整流与保护场景。器件在1A工作电流下具有约0.9V的正向压降,兼顾导通损耗与开机响应,封装为S-FLAT(尺寸1.6×3.5mm),适合贴片自动化组装和高密度电路板设计。

二、主要电气参数

  • 正向压降 (Vf):0.9V @ If = 1A(典型)
  • 直流反向耐压 (Vr):200V
  • 整流电流:1A(连续)
  • 反向漏电流 (Ir):10µA @ Vr = 200V
  • 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):15A
  • 工作结温范围:-40℃ ~ +150℃

以上参数表明该器件在高电压阻断和瞬态浪涌承受能力方面具有良好平衡,适合常见的整流与反向保护应用。

三、封装与热管理

S-FLAT(1.6×3.5mm)封装体积小,利于空间受限的应用场合。由于连续整流电流为1A,电路设计时需注意PCB铜箔面积与散热路径,以降低结温并确保长期可靠性。建议在铜箔铺设散热垫并尽量缩短焊盘到大面积散热层的导热路径。

四、典型应用场景

  • 开关电源整流与输出回路
  • 适配器与充电器保护电路
  • 反向保护与极性保护
  • 家电小功率电源与工业控制板

五、设计注意事项

  1. 在高频开关电源中,配合适当的旁路电容以抑制开关噪声和浪涌电流。
  2. 考虑到Ifsm为15A,可承受短时浪涌,但应避免频繁大电流冲击以防寿命下降。
  3. 若工作环境温度较高,应根据结温曲线调整允许的连续电流或改善散热设计。
  4. 关注焊接工艺参数,避免因过热造成封装或内部结构损伤。

六、可靠性与环境适应

器件额定结温范围为-40℃至+150℃,可满足多数工业与民用环境要求。东芝作为品牌保证在出厂检测及质量控制上的一致性,适合需要长期稳定性的应用场景。

总体而言,CRH01 (TE85L,Q,M) 是一款小型化、耐压高、漏电低且具备一定浪涌承受能力的通用二极管,适用于多种中低功率整流与保护用途。

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