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BAT54-02V-G3-08

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Vishay General Semiconductor - Diodes Division

品牌:

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

型号:

BAT54-02V-G3-08

编号:

L44095947

包装:

-

批号:

-

封装:

SC-79,SOD-523

描述:

-

  • 产品参数

产品概述

BAT54-02V-G3-08 产品概述

一、概述

BAT54-02V-G3-08 为 VISHAY(威世)推出的一款肖特基势垒二极管,采用 SOD-523 超小封装,针对空间受限、对正向压降和反向漏流有较高要求的便携与低电压应用。器件为独立式二极管配置,工作结温范围宽,适合一般商业与工业温度环境使用。

二、主要电气参数

  • 正向压降 (Vf):800 mV @ 100 mA
  • 整流电流 (If):200 mA(持续正向电流)
  • 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):600 mA
  • 直流反向耐压 (Vr):30 V
  • 反向电流 (Ir):2 μA @ 25 V
  • 工作结温范围:-55 ℃ ~ +125 ℃

三、封装与可靠性

  • 封装:SOD-523,体积小、占板面积低,适合高密度贴装
  • 品牌/合规:VISHAY(威世),G3 后缀表明符合无铅/环保焊接工艺(RoHS)要求
  • 热性能:受限于小尺寸封装,长期高电流工作需考虑结温上升与散热路径设计

四、典型应用场景

  • 低压快恢复整流与电源反向保护(便携设备、移动电源)
  • 逻辑电平保护、接口保护与电平移位电路(TTL/CMOS 输入保护)
  • 小信号整流、开关电源二次整流与保护二极管
  • 需要低正向压降且反向漏流受控的低功耗电路

五、设计与使用建议

  • 在接近额定整流电流工作时,应评估封装热阻并在 PCB 设计中增加散热通道或铜箔面积;峰值浪涌(Ifsm)仅短时允许。
  • 对于高反向电压或高温环境,需关注 Ir 随温度上升的增长,必要时选用更高 Vr 或更低 Ir 的器件。
  • 若电路对压降敏感,应验证 800 mV@100 mA 在实际工况下的表现,低电流时 Vf 会更低。

六、结论

BAT54-02V-G3-08 以其小尺寸封装与适度的电气特性,适合需节省 PCB 面积且要求低正向压降与低反向漏流的多种便携与接口保护应用。在设计时注意热管理与浪涌电流限制,可获得稳定可靠的性能。若需更高电流或更低漏电的方案,可基于具体应用进一步选型或级联使用。

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