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BAT42W

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Taiwan Semiconductor Corporation

品牌:

Taiwan Semiconductor Corporation

型号:

BAT42W

编号:

L44097807

包装:

-

批号:

-

封装:

SOD-123

描述:

-

  • 产品参数

产品参数

产品属性 属性值
商品目录 开关二极管
二极管配置 独立式
正向压降(Vf) 1V@200mA
直流反向耐压(Vr) 30V
整流电流 200mA
反向电流(Ir) -
反向恢复时间(Trr) 5ns

PDF描述:SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODES 表面贴装肖特基势垒二极管

产品概述

BAT42W 开关二极管 产品概述

一、产品概述

BAT42W(品牌:SHIKUES/时科)是一款独立式小信号开关二极管,采用 SOD-123 小封装,专为高速开关、整流与保护场景设计。器件在 200mA 工作电流下保持低正向压降(Vf≈1V),同时具备较低的反向漏电流与快速的反向恢复特性,适合便携设备、信号切换与保护电路中占板面积受限的场合。

二、主要特点

  • 低正向压降:Vf = 1V @ If = 200mA,有利于降低功耗与热耗散。
  • 低反向漏流:Ir = 500nA @ Vr = 25V,适合对漏电要求严格的低功耗应用。
  • 快速恢复:反向恢复时间 Trr = 5ns,支持高速开关与脉冲应用。
  • 中等耐压:最大直流反向耐压 Vr = 30V,满足一般低压电源与信号保护需求。
  • 良好冲击能力:单次非重复峰值浪涌电流 Ifsm = 4A,可承受短时浪涌冲击。
  • 小尺寸封装:SOD-123,便于表面贴装生产与高密度电路板应用。

三、主要电气参数(典型/额定)

  • 正向压降(Vf):1V @ If = 200mA
  • 最大整流电流:200mA(DC)
  • 直流反向耐压(Vr):30V
  • 反向电流(Ir):500nA @ Vr = 25V(25℃)
  • 反向恢复时间(Trr):5ns
  • 功耗耗散(Pd):200mW
  • 非重复峰值浪涌电流(Ifsm):4A
  • 工作结温范围:-55℃ ~ +125℃

以上参数为器件的关键指标,在实际设计中应结合PCB散热条件与环境温度进行余量设计。

四、封装与热性能

BAT42W 采用 SOD-123 小型表贴封装,适合自动贴装与回流焊工艺。封装体积小,热阻相对较高,因此在接近额定电流或连续工作时应注意:

  • 控制结温低于额定上限(Tj ≤ +125℃),并考虑周围元件与PCB铜箔散热布局。
  • 在高频脉冲或连续大电流场景下,限制平均功耗,必要时采用并联或选择更大功耗器件。

五、典型应用

  • 高频开关与脉冲整流电路
  • 输入逆向保护与反接保护
  • 低功耗便携设备的信号切换与保护
  • 通信模块、传感器接口的快速开关元件

在这些应用中,BAT42W 可凭借低 Vf、快速 Trr 与小体积特点提供性能与空间利用率的平衡。

六、使用与可靠性建议

  • 建议按标准 SMT 回流工艺完成焊接,避免长时间加热导致封装应力或性能退化。
  • 做 PCB 设计时,适当加大焊盘铜量以改善散热,并留有热通路以降低结温。
  • 在高温、高湿或强浪涌环境中,考虑提升安全余量或选用更高耐压/更大功耗的替代型号。
  • 储存与搬运应防潮、防静电,开封后尽快使用以避免元件受潮影响焊接可靠性。

七、订购信息与品牌说明

  • 品牌:SHIKUES(时科)
  • 封装:SOD-123(独立式)
  • 型号:BAT42W
    在选型与批量采购前,建议向供应商索取详细数据手册以及样片进行实际电路验证,确保器件在目标应用中的长期可靠性与性能符合要求。

以上为 BAT42W 的产品概述与使用建议,如需完整电气特性曲线、封装尺寸图或回流焊温度曲线,可提供进一步资料以便精确设计验证。

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