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1N5824

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Microchip Technology

品牌:

Microchip Technology

型号:

1N5824

编号:

L44115352

包装:

-

批号:

-

封装:

轴向

描述:

-

  • 产品参数

产品参数

产品属性 属性值
商品目录 肖特基二极管
二极管配置 独立式
正向压降(Vf) 550mV@5A
直流反向耐压(Vr) 30V
整流电流 5A
反向电流(Ir) 500uA@30V

PDF描述:5 Amp Schottky Rectifier 5安培肖特基整流器

产品概述

1N5824肖特基二极管产品概述

1N5824是一款符合行业标准的低压大电流肖特基整流二极管,由森美特(SUNMATE)推出,采用DO-201AD轴向引线封装,凭借低正向压降、快速恢复特性及宽温适应性,广泛应用于低压高频整流、续流保护等场景。

一、产品基本属性

1N5824属于肖特基势垒二极管(SBD),核心为金属-半导体接触形成的势垒,区别于传统硅PN结二极管,具有正向压降低、反向恢复时间短的典型优势。该型号由森美特(SUNMATE)生产,封装采用DO-201AD轴向插件形式,引脚间距及尺寸符合国际标准,便于PCB板插件安装或直接焊接,适配工业级及消费类电子设备。

二、核心电气参数详解

1. 正向电气特性

正向压降(Vf)是肖特基二极管的关键参数,直接影响电路损耗。1N5824的正向压降为550mV@5A(工作电流5A时),相比同电流等级的普通硅整流二极管(如1N4007@1A正向压降约1V),损耗降低约45%,可有效提升电源转换效率,减少发热。

2. 反向电气特性

  • 直流反向耐压(Vr):额定值为30V,反向施加直流电压不超过30V时,二极管保持截止状态;
  • 反向漏电流(Ir):30V反向电压下仅为500μA,漏电流小,可降低反向功耗,提升电路稳定性。

3. 电流与浪涌能力

  • 额定整流电流(IF):5A(连续正向电流),满足多数低压电源的整流需求;
  • 非重复峰值浪涌电流(Ifsm):150A(单次脉冲,持续时间≤8.3ms),可承受电路启动或负载突变时的瞬时大电流冲击,增强电路可靠性。

4. 温度适应性

工作结温范围为**-65℃+150℃**,覆盖工业级环境温度要求(通常为-40℃+85℃),可在极端低温(如户外设备)或高温(如电源内部密集布局)场景下稳定工作。

三、封装与可靠性设计

1N5824采用DO-201AD轴向封装,具备以下优势:

  • 散热性能:封装外壳为金属材质(铜或镀锡铜),可有效传递结温至外部环境,配合散热器使用时,能进一步降低热阻,避免过热损坏;
  • 机械强度:轴向引脚设计牢固,可承受一定振动及机械应力,适用于车载、工业控制等振动环境;
  • 耐环境性:封装材料耐温、耐湿,符合RoHS环保标准,满足多数应用场景的可靠性要求。

四、典型应用场景

1N5824凭借低损耗、快速恢复特性,广泛应用于:

  1. 低压开关电源整流:如5V/12V输出的手机充电器、LED驱动电源,低正向压降减少电源损耗,提升效率;
  2. 续流二极管:在电感负载(继电器、电机)电路中,快速反向恢复特性抑制电压尖峰,保护电路元件;
  3. 小型逆变器/转换器:如电动车充电器、太阳能微型逆变器的整流桥部分,承受高频开关下的电流冲击;
  4. 工业控制电路:如PLC模块电源整流、传感器信号处理电路续流保护,宽温范围适配工业现场环境。

五、使用注意事项

为确保稳定工作及长寿命,需注意:

  1. 散热要求:连续5A工作时,需安装散热器或保证足够散热面积,避免结温超过150℃;
  2. 反向电压限制:不得超过30V直流反向耐压,瞬态过压需并联TVS二极管防护;
  3. 极性安装:肖特基二极管有明确极性(通常长引脚为正极),装反会短路损坏,需确认方向;
  4. 浪涌防护:虽具备150A浪涌能力,但频繁浪涌会加速老化,建议配合保险丝使用。

以上内容覆盖1N5824的核心参数、应用及注意事项,可作为选型及使用参考。

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