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STGB20NB41LZT4

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STMicroelectronics

品牌:

STMicroelectronics

型号:

STGB20NB41LZT4

编号:

L44715527

包装:

-

批号:

-

封装:

TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB

描述:

-

  • 产品参数
  • 数据手册PDF
  • 产品概述

产品参数

产品属性 属性值
商品目录 IGBT管/模块
IGBT类型 -
集射极击穿电压(Vces) 442V
集电极电流(Ic) 40A
耗散功率(Pd) 200W
栅极阈值电压(Vge(th)) -
栅极电荷量(Qg) 46nC
输入电容(Cies) -
开启延迟时间(Td(on)) 1us
关断延迟时间(Td(off)) 12.1us
导通损耗(Eon) 5mJ
关断损耗(Eoff) 12.9mJ
工作温度 -55℃~+175℃@(Tj)

PDF描述:N-CHANNEL CLAMPED 20A - DPAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT N沟道固支20A - DPAK内部钳位的PowerMESH IGBT

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