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IXXH60N65B4H1

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IXXH60N65B4H1

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IXYS

品牌:

IXYS

型号:

IXXH60N65B4H1

编号:

L44716785

包装:

-

批号:

-

封装:

TO-247-3

描述:

-

数据手册

产品参数
数据手册PDF
产品概述

产品参数

产品属性	属性值
商品目录	IGBT管/模块
IGBT类型	-
集射极击穿电压(Vces)	650V
集电极电流(Ic)	-
耗散功率(Pd)	-
栅极阈值电压(Vge(th))	-
输入电容(Cies)	-
导通损耗(Eon)	3.13mJ
关断损耗(Eoff)	1.15mJ
反向恢复时间(Trr)	-
工作温度	-55℃~+175℃@(Tj)

PDF描述：Insulated Gate Bipolar Transistor, 116A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel,

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