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产品参数

产品属性	属性值
商品目录	场效应管(MOSFET)
数量	2个N沟道
漏源电压(Vdss)	40V
连续漏极电流(Id)	40A
导通电阻(RDS(on))	5.8mΩ@10V，20A
耗散功率(Pd)	68W
阈值电压(Vgs(th))	4V

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