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首页 > 场效应管(MOSFET) > IRLML6344TRPBF
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IRLML6344TRPBF

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5+

¥ 3.190000

¥ 15.95
100+

¥ 2.170000

¥ 217
500+

¥ 1.730000

¥ 865
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INFINEON

品牌:

INFINEON

型号:

IRLML6344TRPBF

编号:

E004636

包装:

-

批号:

-

封装:

-

描述:

场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 6.3A, SOT23

  • 产品参数
  • 数据手册PDF
  • 产品概述

产品参数

产品属性 属性值
商品目录 场效应管(MOSFET)
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 55V
连续漏极电流(Id) 110A
导通电阻(RDS(on)) 8mΩ@10V,62A
耗散功率(Pd) 200W
阈值电压(Vgs(th)) 4V
栅极电荷量(Qg) 146nC
输入电容(Ciss) 3.247nF
反向传输电容(Crss) 211pF
工作温度 -55℃~+175℃

PDF描述:HEXFET Power MOSFET Industry-standard SOT-23 Package Lower Conduction Losses HEXFET功率MOSFET工业标准SOT -23封装,更低的传导损耗

IRLML6344TRPBF 产品概述

概述

IRLML6344TRPBF 是英飞凌(Infineon)公司推出的一款高性能N沟道MOSFET,采用表面贴装封装(SOT-23,Micro3型),适用于多种应用场景。这款FET具备优异的电流处理能力和低导通电阻特点,适合用于开关电源、电池管理、DC-DC转换器以及各种消费电子设备中的电源开关和信号调理。

主要参数

  • FET类型: N沟道
  • 技术: MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)
  • 漏源电压(Vds): 最高30V,适合低压应用
  • 25°C时电流 - 连续漏极 (Id): 5A,能够处理中等电流负载
  • 驱动电压(Vgs): 在2.5V和4.5V下均可操作,具备良好的驱动能力
  • 导通电阻(Rds(on)): 在5A和4.5V条件下最大为29毫欧,确保低功耗工作状态
  • Vgs(th)(阈值电压): 最大1.1V(@ 10µA),适合用于低电压应用
  • 栅极电荷(Qg): 最大为6.8nC(@ 4.5V),能够实现快速开关动作
  • 输入电容(Ciss): 最大650pF(@ 25V),保证高速切换特性
  • 功率耗散(Pd): 最大1.3W,能够在常规工作条件下保持安全
  • 工作温度范围: -55°C至150°C,适用环境温度范围广泛

应用场景

IRLML6344TRPBF 适用于如下领域:

  1. 开关电源: 可用于DC-DC转换系统中的高效开关,具有低导通电阻可减小功耗,从而提高整体效率。

  2. 电池管理系统: 在电池充放电过程中,作为开关元件能够有效地控制电流流动,确保电池的使用寿命及安全性。

  3. 电机控制: 在低电压电机驱动器中,作为开关可实现对电机的精确控制与高效驱动。

  4. 消费电子产品: 广泛应用于各种便携式电子产品和智能设备中,如智能手机、平板电脑等,能够有效提升系统的性能和续航能力。

  5. LED驱动电路: 能够作为LED驱动开关,提供明亮而稳定的光源输出,适用于各类照明设计和显示设备。

设计优势

  • 高效能: 采用先进的MOSFET技术,IRLML6344TRPBF 提供低Rds(on)值,确保在切换过程中功耗降低。

  • 宽温工作范围: 工作温度范围广,适合于严苛环境下的应用,增强了产品的可靠性。

  • 小巧封装: SOT-23封装使得其在PCB设计中非常灵活,适合空间有限的设计需求。

  • 快速响应: 低栅极电荷特性使得其能够实现快速高效的开关响应,适合于高速开关应用。

结论

IRLML6344TRPBF 是一款理想的选择,凭借其卓越的性能和多种应用场景,可以为设计者提供可靠性与效率的优雅平衡。在当前电子产品对能效和小型化的需求日益增长的背景下,IRLML6344TRPBF 无疑是市场中一款出色的N沟道MOSFET产品,为提升电子设备性能贡献力量。

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