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首页 > 场效应管(MOSFET) > 2N7002BK,215
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2N7002BK,215

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5+

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¥ 8.7
100+

¥ 0.910000

¥ 91
500+

¥ 0.600000

¥ 300
1000+

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¥ 410
3000+

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NEXPERIA

品牌:

NEXPERIA

型号:

2N7002BK,215

编号:

E004663

包装:

-

批号:

-

封装:

-

描述:

场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 0.35A, SOT23

  • 产品参数
  • 产品概述

产品参数

产品属性 属性值
商品目录 开关二极管
二极管配置 1对串联式
正向压降(Vf) 1.25V@150mA
直流反向耐压(Vr) 100V
整流电流 215mA
反向电流(Ir) 500nA@80V
反向恢复时间(Trr) 4ns
工作结温范围 -

产品概述:2N7002BK,215 N通道MOSFET

基本资料 2N7002BK,215是一款高性能的N通道场效应晶体管(MOSFET),其设计旨在满足各种电子设备的需求,特别是在开关和放大应用中的广泛应用。此器件具备出色的电气特性,能够在低功耗的同时提供高效能,是现代电子设计中理想的选择之一。

电气特性 该MOSFET的主要电气参数如下:

  • 漏源电压(Vdss):60V

    • 该参数允许设备在较高的电压条件下工作,为多种应用提供了灵活性。
  • 连续漏极电流(Id):350mA @ 25°C

    • 在常温下,该器件可以持续输出350mA的电流,适用于中等负载的驱动需求。
  • 栅源阈值电压(Vgs(th)):2.1V @ 250µA

    • 此参数决定了MOSFET的开关控制能力,在较低的驱动电压下便可有效开关。
  • 漏源导通电阻(Rds(on)):1.6Ω @ 500mA, 10V

    • 低导通电阻意味着在导通状态下的能量损耗十分小,有助于提高整体电路的效率。
  • 最大功率耗散:370mW @ Ta=25°C

    • 此项特性确保了在散热条件好的环境下,该MOSFET能够安全稳定运行。
  • 工作温度范围:最高可达150°C

    • 高工作温度范围使其适用于高温环境下的应用,增强了其在汽车和工业设备中的适用性。
  • 输入电容(Ciss):最大值50pF @ 10V

    • 较低的输入电容可以减少驱动信号的延迟,提高开关速度。
  • 栅极电荷(Qg):0.6nC @ 4.5V

    • 小的栅极电荷充电量确保所需的驱动功率较低,从而减少了设计复杂性。

封装与安装 2N7002BK,215采用TO-236AB(也称为SOT-23-3或SC-59)表面贴装封装。这种小型封装使得器件在现代电子设备中占用的空间非常小,对于空间受限的应用来说十分理想。其表面贴装格式简化了PCB设计和自动化组装工艺,能够提高生产效率并降低制造成本。

应用领域 该MOSFET适用于广泛的应用场景,包括但不限于:

  1. 开关电源:可用于控制电源的开关状态,提供高效的功率转换。
  2. 音频放大器:以其出色的电流处理能力,作为小功率放大器的输出级器件。
  3. 低功耗无线通信设备:帮助提升信号的开关速度和传输效率。
  4. 电机驱动:在对于小型电机的控制和驱动方面表现出色,可以用于各种电机控制应用。
  5. LED驱动电路:可控制LED灯的开关与亮度调整。

总结 作为一款可靠可靠且功能强大的N通道MOSFET,2N7002BK,215为设计工程师提供了灵活的选择,能够在各种环境中提供出色的性能。无论是用于家庭电器、自动化设备还是LED照明系统,2N7002BK,215 都拥有出色的市场表现。Nexperia(安世)作为知名电子元器件制造商,确保此器件的质量和性能,满足客户在高速开关应用方面的严格要求。

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