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首页 > 场效应管(MOSFET) > BSS138P,215
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BSS138P,215

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NEXPERIA

品牌:

NEXPERIA

型号:

BSS138P,215

编号:

E004665

包装:

-

批号:

-

封装:

-

描述:

场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 0.36A, SOT23

  • 产品参数
  • 产品概述

产品参数

产品属性 属性值
商品目录 开关二极管
二极管配置 1对串联式
正向压降(Vf) 1.25V@150mA
直流反向耐压(Vr) 100V
整流电流 215mA
反向电流(Ir) 500nA@80V
反向恢复时间(Trr) 4ns
工作结温范围 -

PDF描述:60 V, 360 mA N-channel Trench MOSFET TO-236 3-Pin

BSS138P,215 产品概述

1. 概述

BSS138P,215 是一种高性能的 N 型沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),由著名的半导体制造商 Nexperia(安世半导体)生产。此款 MOSFET 设计用于中低功率电子应用,适合电路开关、线性调节和信号放大等多种用途。凭借其优越的电气特性和广泛的工作温度范围,BSS138P,215 在消费电子、工业控制和汽车电子等领域具有广泛的应用前景。

2. 关键特点与参数

  • 漏源电压 (Vdss): BSS138P 的漏源电压达到 60V,意味着其能够安全处理的线路电压相对较高,适合在高压环境下工作。
  • 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 环境下,其连续漏极电流为 360mA,能够满足大多数低功率电路对功率传输的需求。
  • 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 该器件的栅源极阈值电压为 1.5V @ 250µA,提供了较低的开启电压,有助于在低电压电源电路中实现高效率的开关操作。
  • 漏源导通电阻 (Rds(on)): 在 10V 的驱动电压下,BSS138P 的漏源导通电阻为 1.6Ω @ 300mA,此性能保证晶体管在导通状态下能够降低功耗和发热。
  • 最大功率耗散: 在环境温度 25°C 时,最大功率耗散为 350mW,若以芯片温度为基准则可达到 1.14W。这一参数使其在设计中提供了灵活性,能够应对不同散热需求的应用场景。
  • 工作温度范围: BSS138P 支持 -55°C 到 150°C 的广泛工作温度范围,确保其在极端气候和严苛环境中的可靠性。
  • 封装类型: 该器件采用 SOT-23 封装,适合表面贴装(SMD),有助于节省 PCB 空间并简化自动化生产过程。

3. 应用场景

BSS138P,215 主要应用于以下几个领域:

  • 开关电源: 在 DC-DC 转换器和电源管理电路中,MOSFET 可以有效地切换电源,减少能量损耗。
  • 信号调节: 适用于信号放大和处理电路,BSS138P 可用于图像和音频信号的调节,提高系统的灵敏度和响应速度。
  • 电动机驱动: 用于小功率电动机控制电路,可充当开关元件来控制电动机的启停。
  • 负载驱动: 在灯光控制、继电器驱动等应用中,能够在高电压下安全平稳地驱动各种负载。

4. 设计和使用考量

在使用 BSS138P,215 时,设计师需要注意其漏源电流和温度特性,确保在实际应用中不超过其额定参数。此外,由于此器件的栅极电荷通常在 Qg = 0.8nC @ 4.5V,因此在高频开关应用中,设计者需要考虑驱动电路的能力,以确保 MOSFET 能够快速开关,降低开关损耗并提高效率。

结论

总的来说,BSS138P,215 是一款多功能的 N 型沟道 MOSFET,尤其适合在需要高效电源开关和信号调节的应用中。其广泛的工作温度范围、优良的电气特性和紧凑的 SOT-23 封装使其成为工程师和设计师们理想的选择。无论是在消费电子、智能家居还是工业控制,BSS138P,215 皆能满足现代电路的多种需求。

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