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byg21m-e3/tr

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vishay semiconductors

品牌:

vishay semiconductors

型号:

byg21m-e3/tr

编号:

L51025929

包装:

-

批号:

-

封装:

-

描述:

-

  • 产品参数

产品参数

产品属性 属性值
商品目录 雪崩二极管
二极管配置 独立式
正向压降(Vf) 1.6V@1.5A
直流反向耐压(Vr) 1kV
整流电流 1.5A
反向电流(Ir) 1uA@1kV
反向恢复时间(Trr) 120ns

PDF描述:DIODE 1.5 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMD, SMA, 2 PIN, Rectifier Diode

产品概述

BYG21M-E3/TR 产品概述

产品简介

BYG21M-E3/TR 是一款高性能雪崩二极管,专为需要高反向耐压和快速恢复特性的应用设计。该元件由 VISHAY(威世)公司生产,采用表面贴装型(SMA,DO-214AC)封装,具备优良的电气特性和宽广的工作温度范围,使其在各种严苛环境下均能稳定工作,广泛应用于电源保护、逆变器、整流电路以及高频开关电源等领域。

关键参数

  1. 反向恢复时间(trr): 120ns

    • BYG21M-E3/TR 的反向恢复时间非常短,适合用于高频率转换的电路,能够有效降低开关损耗,提高电路的效率。
  2. 直流反向耐压(Vr): 1000V

    • 本产品能够承受高达 1000V 的反向电压,使其非常适合用于高压应用场合,例如电源输入端的整流保护。
  3. 平均整流电流(Io): 1.5A

    • 具备 1.5A 的平均整流电流,适合中等功率的电路需求,能够满足大多数常见电子设备的功率需求。
  4. 正向压降(Vf): 1.6V @ 1.5A

    • 在 1.5A 的整流条件下,正向压降为 1.6V,虽然相对较高,但考虑到其高耐压特性,这一压降仍在可接受范围内。
  5. 反向泄漏电流: 1µA @ 1000V

    • 低反向泄漏电流使得该二极管在待机或关闭状态下不会消耗过多电流,提升设备的整体能效。
  6. 工作温度范围: -55°C ~ 150°C

    • 宽广的工作温度区间确保了 BYG21M-E3/TR 可以在极端环境下稳定运行,适合各种工业和消费电子产品。

应用场景

BYG21M-E3/TR 广泛适用于如下领域:

  • 电源电路:在开关电源、UPS(不间断电源)和电池管理系统中,利用其高反向耐压和反向恢复时间,提升整体系统的效率与稳定性。

  • 逆变器:用于光伏逆变器、高速马达驱动及其他需要转换直流电源的场合,能够提供安全的电压限制和电流整流。

  • 整流电路:在各种整流应用中尤其有效,能够处理高达 1.5A 的整流电流。

  • 电气设备保护:作为瞬态抑制元件,保护敏感电子部件免受高电压瞬变的影响。

封装与安装

BYG21M-E3/TR 采用 DO-214AC(SMA)表面贴装封装设计,符合现代贴装工艺的要求,方便在自动化生产线中进行快速粘接,即便在高密度组件布局中,也能确保优良的散热性能。其封装结构在市场上受到广泛认可,便于与其他标准化组件搭配使用。

总结

综上所述,BYG21M-E3/TR 是一款兼具高性能和高可靠性的雪崩二极管,能够在高压和高温环境下稳定工作,具备快速恢复特性,广泛适用于现代电子产品的整流、保护和转换电路。无论是在消费电子、工业控制,还是在科研领域,该产品都能提供理想的解决方案。作为 VISHAY 品牌下的一款优秀产品,其质量和可靠性得到行业的广泛认可,值得生产企业在设计中考虑使用。

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