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Gedore Tools, Inc.

品牌:

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型号:

104 P

编号:

L51686661

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-

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-

封装:

-

描述:

-

  • 产品参数
  • 产品概述

BSC026N04LS 产品概述

一、简介

BSC026N04LS 是英飞凌(Infineon)生产的一款40V耐压、N沟道功率 MOSFET,封装为 TDSON-8 (5x6)。器件工作温度范围宽 (-55℃ ~ +150℃),适用于高密度电源和开关场合,强调低导通损耗与较高电流能力。

二、关键参数

  • 漏源电压 (Vdss):40V
  • 导通电阻 RDS(on):3.6 mΩ @ Vgs=4.5V
  • 连续漏极电流 Id:119 A(参考值,受散热条件影响)
  • 耗散功率 Pd:63 W(热设计相关)
  • 阈值电压 Vgs(th):2 V @ 250 μA
  • 总栅极电荷 Qg:45 nC @ Vgs=10 V
  • 输入电容 Ciss:3.22 nF;输出电容 Coss:900 pF;反向传输电容 Crss:104 pF

三、性能要点与设计意义

  • 低 RDS(on)(3.6 mΩ @4.5V):在中低电压系统(如12V/24V)中可显著降低导通损耗,适合高电流路径(同步整流、二次侧开关)。
  • 较高的 Id 与 Pd:在良好散热条件下可处理较大持续电流,但实际能承受的电流受 PCB 铜箔和散热结构限制。
  • 较大 Qg(45 nC @10V)与较高 Ciss:开关时需要足够驱动能力,栅极驱动器需提供较大电流以达到快速切换,避免过多开关损耗。
  • Crss(104 pF)影响米勒效应:在高 dv/dt 应用中需注意栅极耦合,适当选择栅阻或驱动策略以抑制振铃与误触发。

四、典型应用

  • 同步整流 MOSFET(DC-DC 转换器)
  • 车载电子(满足40V以内系统)
  • 电机驱动的低压半桥/全桥开关
  • 高密度电源模块与电池管理系统

五、布局与使用建议

  • 栅极驱动:建议采用能够提供短时大电流的驱动器,匹配合适的栅阻(10–47 Ω 依据开关速度与振铃控制)。
  • 热管理:尽量使用大面积铜箔、热过孔与底部散热垫,充分考虑 Pd 与实际结温,避免长期在高结温下工作。
  • 布局:减小功率环路面积,优化源-漏回路的回流路径;栅极走线短且靠近驱动器,必要时使用 Kelvin 源端。
  • 保护:在高 dv/dt 或回路感性较大时考虑 RC 吸收、TVS 或续流路径,防止瞬态过压。

六、选型结论

BSC026N04LS 以其低导通电阻与较高电流承载能力,适合需要低损耗与高效率的中低压开关场合。但因栅极电荷与输入电容较大,系统需匹配足够的驱动能力与良好热设计,方能发挥最佳性能。有关最大栅极电压、SOA 等详细约束,请以官方 Datasheet 为准。

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