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MMBTA94
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MMBTA94

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Diotec Semiconductor

品牌:

Diotec Semiconductor

型号:

MMBTA94

编号:

L51736398

包装:

-

批号:

-

封装:

TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

描述:

-

  • 产品参数
  • 产品概述

产品参数

产品属性 属性值
商品目录 三极管(BJT)
晶体管类型 PNP
集电极电流(Ic) 300mA
集射极击穿电压(Vceo) 400V
耗散功率(Pd) 350mW
直流电流增益(hFE) 80@10mA，10V
特征频率(fT) 50MHz
集电极截止电流(Icbo) 100nA
集射极饱和电压(VCE(sat)) 300mV
工作温度 -

PDF描述：SOT-23-3L Plastic-Encapsulate Transistors SOT- 23-3L塑封装晶体管

MMBTA94 通用NPN小信号晶体管产品概述

一、产品核心定位与适用场景

MMBTA94是金誉（HT）品牌推出的一款通用NPN型小信号晶体管，主打低功耗、中等电压/电流需求的电路设计，尤其适配对体积、功耗敏感的小型化设备。其参数覆盖了信号放大、低速开关两大核心场景，常见于便携式音频设备、小型控制电路、信号调理模块等，是替代传统插件晶体管的高性价比表面贴装方案。

二、关键电气参数深度解析

1. 直流工作特性

  • 集电极电流（Ic）：最大200mA，满足中小负载驱动（如LED、小型继电器线圈、微型电机）；
  • 集射极击穿电压（Vceo）：400V，支持中等电压环境稳定工作（避免高压击穿，适配部分电源电路辅助控制）；
  • 耗散功率（Pd）：350mW，无需额外散热装置，适合低功耗设计（如智能穿戴、小型家电待机电路）；
  • 直流电流增益（hFE）：10mA/10V条件下可达300，小信号放大能力优异（微弱传感器信号可被有效放大）；
  • 集射极饱和电压（VCE(sat)）：50mA/5mA时仅300mV，饱和压降低→开关损耗小，提升电路效率；
  • 集电极截止电流（Icbo）：100nA，漏电流极小→静态稳定性好，减少待机功耗。

2. 高频特性

  • 特征频率（fT）：50MHz，适用于中低频信号处理（如音频、低速数字信号），不支持高频射频，但覆盖90%以上通用电路需求。

3. 安全边界

  • 射基极击穿电压（Vebo）：仅5V，设计时需避免射极-基极反向电压过高（可串联限流电阻保护）。

三、封装形式与可靠性优势

1. 封装细节

采用SOT-23表面贴装封装，尺寸约2.9mm×1.6mm×1.1mm，体积仅为传统TO-92插件的1/5，大幅提升PCB布局密度，适配智能手机、智能手环、小型家电等紧凑型产品。

2. 品牌可靠性

HT（金誉）作为国内成熟半导体品牌，MMBTA94符合RoHS无铅标准，经过高低温循环（-55℃~150℃）、老化测试等验证，确保工业级/消费级双场景稳定工作，无批次性能波动。

四、典型应用案例参考

  1. 小型音频放大器：利用高hFE特性，驱动耳机、小型扬声器（输出功率满足个人音频需求）；
  2. 低速开关电路：控制LED指示灯、小型直流电机（Ic=200mA足够驱动，低饱和压降减少发热）；
  3. 信号调理模块：放大光敏/热敏传感器微弱输出（漏电流小，避免信号失真）；
  4. 电源辅助控制：作为过流保护开关管，或电压基准缓冲级（提升带载能力）。

总结

MMBTA94凭借高性价比、小体积、稳定电气性能，成为通用NPN晶体管的优选方案，覆盖消费电子、工业控制等多领域，适配低功耗小型化设计需求。

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