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IXBT2N250

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IXYS

品牌:

IXYS

型号:

IXBT2N250

编号:

L51752573

包装:

-

批号:

-

封装:

TO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA

描述:

-

  • 产品参数
  • 数据手册PDF
  • 产品概述

PDF描述:Insulated Gate Bipolar Transistor,

IXBT2N250 IGBT 产品概述

IXBT2N250是IXYS公司推出的一款2500V级表面贴装IGBT(绝缘栅双极型晶体管),针对高压小功率应用场景优化设计,具备高耐压、低栅极损耗、宽温适应性等核心特点,封装采用TO-268,适配自动化生产与紧凑空间需求。

一、产品定位与核心身份

该器件属于高压中低电流IGBT范畴:

  • 耐压等级2500V(满足1000VAC/2000VDC以下高压系统直接应用);
  • 电流规格5A(连续集电极电流)、功率32W(最大耗散功率);
  • 封装为TO-268表面贴装型,区别于插件封装,更适合自动化贴装与小型化设计。

二、关键电气参数解析

1. 高压耐受能力

集射极击穿电压Vces=2.5kV是核心指标:

  • 可直接承受2500V反向电压,无需通过器件串并联提升耐压,简化电路复杂度与成本;
  • 适配1000VAC(峰值1414V)、2000VDC以下的高压系统(如工业电源、光伏辅助电路)。

2. 电流与功率规格

  • 连续集电极电流Ic=5A:满足中等功率密度的高压应用(如小型高压电机驱动);
  • 最大耗散功率Pd=32W(25℃环境温度下):结合TO-268封装的热阻特性,可稳定支撑额定电流下的功率输出。

3. 栅极控制特性

  • 栅极阈值电压Vge(th)=3.5V(测试条件:Vge=15V、Ic=2A):低阈值电压使驱动电路无需高电压即可导通,简化驱动设计;
  • 栅极总电荷Qg=10.6nC:小栅极电荷降低开关过程中的栅极损耗,且开关速度较快,提升系统效率。

4. 反向恢复特性

反向恢复时间Trr=920ns:虽不属于超快速恢复类型,但可满足kHz级以下非高频应用的反向恢复要求,避免因反向恢复导致的电压尖峰问题。

三、封装与物理特性

采用TO-268表面贴装封装,具备以下优势:

  • 紧凑结构:节省电路板空间,适配小型化设备(如医疗高压模块);
  • 自动化适配:表面贴装设计可通过SMT设备批量生产,提升生产效率;
  • 热稳定性:封装热阻设计合理,支撑器件在-55℃~+150℃结温范围内稳定工作。

四、典型应用场景

  1. 高压小功率开关电源:工业控制设备的高压辅助电源、医疗设备的高压供电模块;
  2. 光伏并网逆变器辅助电路:小型光伏逆变器的高压侧辅助模块(需高压耐受与稳定开关);
  3. 工业自动化高压驱动:小型高压电机驱动电路、传感器高压偏置电路;
  4. 新能源辅助系统:电动汽车12V辅助电源的高压转换模块(小电流高压需求)。

五、性能优势总结

  1. 高压直接应用:2.5kV耐压无需串并联,降低电路成本与体积;
  2. 低损耗驱动:低阈值电压+小栅极电荷,简化驱动设计,提升系统效率;
  3. 宽温适应性:-55℃~+150℃结温范围,适配极端环境(如寒冷地区工业现场、高温密闭机箱);
  4. 紧凑封装:TO-268表面贴装,满足小型化设备需求。

六、注意事项

  • 高频场景(MHz级)需评估反向恢复损耗,建议搭配快恢复二极管;
  • 栅极驱动电压需控制在器件额定范围内(通常±20V),避免过压损坏;
  • 工作时需确保结温不超过150℃,必要时增加散热片。

IXBT2N250凭借其高压耐受、低驱动损耗与宽温特性,成为工业、医疗、新能源等领域高压小功率应用的可靠选择。

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