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1SV325,H3F

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Toshiba Semiconductor and Storage

品牌:

Toshiba Semiconductor and Storage

型号:

1SV325,H3F

编号:

L51758491

包装:

-

批号:

-

封装:

SC-79,SOD-523

描述:

DIODE VARACTOR 10V ESC

  • 产品参数
  • 产品概述

详细描述:可变电抗器 单路 10 V 表面贴装型 ESC


产品参数

产品属性 属性值
不同 Vr、F 时 Q 值 -
不同 Vr、F 时电容 12pF @ 4V,1MHz
二极管类型 单路
供应商器件封装 ESC
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
包装 卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel® 得捷定制卷带
基本产品编号 1SV325
安装类型 表面贴装型
封装、外壳 SC-79,SOD-523
工作温度 125°C(TJ)
电压 - 峰值反向(最大值) 10 V
电容比 4.3
电容比条件 C1、C4
系列 -
零件状态 在售

PDF描述:DIODE VARACTOR 10V ESC

1SV325,H3F(T) 变容二极管产品概述

一、产品简介

1SV325,H3F(T) 是东芝(Toshiba)公司推出的一款高性能变容二极管,封装采用 SOD-523-2,这种小型封装形式使得其在空间受限的应用中显得尤为重要。变容二极管,顾名思义,其主要特性是能够在不同的反向偏压下改变其结电容值,这一特性使其在调谐电路、频率合成及射频应用中广泛应用。

二、主要特性

  • 封装类型:SOD-523-2,表面贴装,体积小,适合高密度的电路设计。
  • 电容变化范围:在不同的反向电压条件下,1SV325,H3F(T)能够提供显著变化的电容,这使其特别适用于频率调谐和调整。
  • 负向工作电压:具有一定的工作电压能力,但具体值需参考产品 datasheet,以保证其在合理工作条件下运行。
  • 低功耗:该二极管在操作时消耗的功率较小,适合现代节能设计的需求。

三、应用场景

1SV325,H3F(T) 变容二极管因其优异的电容调节能力,广泛应用于以下几个典型场景:

  1. 调谐电路:变容二极管可以与其他电感性元件组合,构成可调谐的LC电路,广泛应用于收音机、电视等频率选择器中,能够精准调节所需频段的信号。

  2. 频率合成器:在无线通信系统中,变容二极管可用于频率合成器,以实现不同频率的生成和选择。其电容可通过电压调整,适应不同的调谐需求。

  3. 相位锁定环(PLL):在相位锁定环应用中,变容二极管可用于调整输入信号的相位与输出信号的相位,通过调节其电容,确保系统在不同的工作条件下保持稳定的同步精度。

四、技术参数

在选择使用 1SV325,H3F(T) 变容二极管时,用户需要关注其技术参数。一般来说,关键参数包括:

  • 最大反向工作电压(VR):确保在规定的反向电压范围内使用,以避免发生击穿。
  • 电容范围:确认其电容值在不同工作条件下的实际应用效果。
  • 温度稳定性:变容二极管的性能会受到温度的影响,因此关注其在不同温度条件下的稳定性在设计过程中是非常重要的。
  • 引脚配置:由于采用小型封装,为了方便焊接及组装,合理的引脚布局同样重要。

五、总结

1SV325,H3F(T) 变容二极管以其优越的电容量调节性能和小巧的 SOD-523-2 封装,成为许多电子应用中的关键组件。它不仅能满足现代电子设备在频率调谐和信号控制上的需求,还能适应日益趋向于小型化和高性能的设计趋势。无论是在消费类电子、无线通信,还是在科学实验及工业控制等领域,1SV325,H3F(T) 的应用范围都展示了与时俱进的电子元器件技术,反映了其在现代电子设计中的重要性。

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