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1N4740A

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onsemi

品牌:

onsemi

型号:

1N4740A

编号:

L51776702

包装:

-

批号:

-

封装:

DO-204AL,DO-41,轴向

描述:

-

  • 产品参数
  • 产品概述

PDF描述:SILICON 1 WATT ZENER DIODES 硅1瓦齐纳二极管

1N4740APF 稳压二极管(10V,1W)产品概述

一、概述

1N4740APF 为额定稳压值约为 10V 的硅稳压(二极管)器件,额定耗散功率 1W,常用于低功耗电压基准、保护和稳压电路。该器件为 DO-41 直插封装且无铅(RoHS),品牌为 ST(先科),适合通用电子设计和替代型应用。

二、主要电气参数

  • 标称稳压值(Vz):10V(范围 9.5V ~ 10.5V)
  • 反向电流(Ir):10μA @ 7.6V(漏电特性)
  • 最大耗散功率(Pd):1W(注:需考虑环境与散热)
  • 动态阻抗(Zzt):7Ω(在测试点)
  • 膝部阻抗(Zzk):700Ω(低电流区特性)

三、特性解读

Zzt 值较低表明在规定测试电流下,稳压能力好、纹波抑制能力强;Zzk 较大表示在极低电流时二极管进入膝部,稳压精度下降。反向漏电 Ir 在 7.6V 时为 10μA,提示在接近但低于稳压电压时仍有微小泄漏。

四、典型应用

  • 小功率线性稳压(参作为并联稳压元件)
  • 基准电压源与传感器供电参考
  • 过压保护、夹位和浪涌抑制(配合串联限流电阻)
  • 通用低功耗电子设备中替代高精度但更昂贵的参考元件

五、使用与设计建议

  • 功率限制:工作时确保器件耗散 Pz = Vz × Iz ≤ 1W,并留有安全裕度。
  • 串联限流:设计时用 R = (Vin - Vz) / Iz 来选择限流电阻,且考虑负载变化导致的 Iz 变化。
  • 温度影响:稳压值随温升有漂移,应在高温环境下校核功耗与散热。
  • 启动与低电流区:注意在 Iz 很小时(接近膝部)稳压不稳定,应保证工作电流处于稳压区间。

六、封装与焊接

DO-41 为常见直插玻封封装,管身有负极(环形带)标识。无铅涂层适配无铅焊接工艺,焊接时遵循常规波峰或手工焊接温度和时间建议,避免长时间高温损伤器件。

七、可靠性与测试要点

  • 常规测试:稳压电压、动态阻抗、反向漏电与耗散能力测试。
  • 老化与热循环会影响稳压漂移,长期设计应留裕量并进行温度应力测试。
  • 对于关键应用,建议筛选并做到件间匹配与温度校准。

八、选型与替代

选择时关注稳压精度范围、Zzt、最大功率和封装形式。市场上有相同规格的 1N4740A 系列可作为替代,但必须核对稳压范围、测试电流与热性能以确保互换性。

以上为 1N4740APF 的技术概述与实用建议,可用于快速选型与电路设计参考。若需计算示例或特定工况的电路设计,请提供输入电压、负载和允许温升等参数。

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