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BZT52C12W

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YAGEO

品牌:

YAGEO

型号:

BZT52C12W

编号:

L51780856

包装:

-

批号:

-

封装:

SOD-123F

描述:

-

  • 产品参数
  • 产品概述

产品参数

产品属性 属性值
商品目录 贴片电阻
电阻类型 厚膜电阻
阻值 20Ω
精度 ±1%
功率 100mW
工作电压 75V
温度系数 ±100ppm/℃
工作温度 -55℃~+155℃

PDF描述:SILICON PLANAR ZENER DIODES 硅平面齐纳二极管

BZT52C12W — 晶导微电子 12V 独立式稳压二极管(SOD-123)

一、产品概述

BZT52C12W 是晶导微电子推出的独立式稳压二极管,工作稳压值标称为 12V,实际稳压范围 11.4V ~ 12.7V,采用 SOD-123 小外形封装,适合表面贴装的低功耗基准/稳压场合。该器件以小体积、良好温度范围与低反向泄漏电流为特点,适用于便携与空间受限的电子设备。

二、主要特性

  • 标称稳压:12V(范围 11.4V ~ 12.7V)
  • 反向电流 Ir:100nA @ 8V(低泄漏)
  • 浪涌耗散功率 Pd:500mW(总耗散)
  • 稳态阻抗 Zzt:25Ω(影响小信号调节性能)
  • 工作结温度:-55℃ ~ +150℃
  • 封装:SOD-123(表面贴装)

三、典型电气参数与设计依据

稳压二极管在稳压工作点的最大允许电流 Iz_max 可由 Iz_max ≈ Pd / Vz 估算;对于 12V 等效,Iz_max ≈ 500mW / 12V ≈ 41mA。考虑封装散热及长期可靠性,推荐连续工作电流在 10–20mA 范围以降低结温并保证长期稳定性。小信号阻抗 25Ω 表明在中低电流工作区存在一定的伏差随电流变化,动态调节需配合合适的旁路与滤波。

四、功耗与热管理

SOD-123 封装的热阻较高,应关注结-环境温升。实际电路中务必计算:P = Vz × Iz(近似稳压情况下),并按环境温度和 PCB 散热能力对耗散功率进行额定降额。建议在高环境温度或长期功耗时增加散热铜箔面积或降低工作电流。

五、典型应用场景

  • 小功率参考电压源与基准
  • 便携式仪表与消费电子的局部稳压
  • 保护电路、夹位与电平参考
  • 低功耗传感器供电或偏置电路

六、使用建议与注意事项

  • 采用串联限流电阻实现稳压,计算需考虑最大浪涌与稳态耗散。
  • 在输入电压波动较大时加入输入滤波/旁路电容以改善动态响应。
  • 避免长期在 Pd 限值附近工作,推荐留有安全裕量。
  • 元件的完整性能及可靠性应以厂家完整数据手册和样品测试为准。

七、封装与订购信息

型号:BZT52C12W
品牌:晶导微电子(Jingdao)
封装:SOD-123(表面贴装)
请在选型与采购时参考晶导微电子的最新数据手册,确认波峰/回流焊工艺兼容性、湿敏等级(MSL)与可靠性测试报告。若需电路参考或热设计计算示例,可提供更详细的负载与环境条件以便给出针对性建议。

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