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MMSZ5229B

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Good-Ark Semiconductor

品牌:

Good-Ark Semiconductor

型号:

MMSZ5229B

编号:

L51785092

包装:

-

批号:

-

封装:

SOD-123

描述:

-

  • 产品参数
  • 产品概述

产品参数

产品属性 属性值
商品目录 稳压二极管
二极管配置 独立式
稳压值(标称值) 4.3V
反向电流(Ir) 5uA@1V
稳压值(范围) 4.09V~4.52V
耗散功率(Pd) 500mW
阻抗(Zzt) 22Ω

PDF描述:5% TOLERANCE 5 %的容差

MMSZ5229B_R1_00001 产品概述

一、产品简介

MMSZ5229B_R1_00001 是 PANJIT(强茂)出品的一款独立式稳压二极管,标称稳压值 4.3V,适用于小功率电压基准与过压/浪涌钳位场合。器件采用 SOD-123 小封装,体积小、便于表面贴装,适合便携与密集布板应用。

二、主要特性

  • 标称稳压:4.3V(规范范围 4.09V~4.52V)
  • 反向漏电流:Ir = 5 μA @ 1V(低电压下泄漏小)
  • 最大耗散功率:Pd = 500 mW(一定条件下的稳压功率上限)
  • 稳态阻抗:Zzt = 22 Ω(表示在测试条件下的动态阻抗)
  • 膝部阻抗:Zzk = 2 kΩ(表示接近击穿点时的非线性特性)
  • 工作结温范围:-55 ℃ ~ +150 ℃
  • 封装:SOD-123,贴片型,带极性标识(阴极环)

三、电气参数要点(设计参考)

  • 最大允许电流(近似):Iz_max ≈ Pd / Vz = 0.5 W / 4.3 V ≈ 116 mA(为理论值,实际使用应留裕量,不建议长期接近此值)。
  • 常用偏置电流建议:典型偏置在 1 mA~20 mA 区间,可兼顾稳压精度与功耗。
  • 选取限流电阻示例:若 Vin = 12 V,目标 Iz = 10 mA,则 R ≈ (12 − 4.3) / 10 mA ≈ 770 Ω;同时需保证在最坏工况下(Vin最大)不会超过器件的耗散功率。
  • 低压下漏电 5 μA 表明在未达击穿时的微弱泄漏,有利于静态功耗控制。

四、典型应用场景

  • 低功率电压参考与偏置源(放大器偏置、电平转换)
  • 信号线钳位、浪涌保护与电压抑制
  • 便携式与消费类电子的次级稳压电路
  • 工业控制与通信设备中的局部基准或保护电路

五、使用与设计建议

  • 在选择工作电流时,优先保证 Iz 在稳态阻抗 Zzt 所标注测试条件附近,以获得较好稳压性能;避免长期工作在接近 Iz_max 的高电流区。
  • 考虑环境温度升高时耗散能力下降,PCB 布局应提供适当散热路径(加大铜箔、减小热阻)。
  • SOD-123 封装极性识别明确,阴极通常以带环标记;焊接请遵循厂家回流焊工艺规范以免损伤封装。
  • 对于脉冲浪涌或瞬态高能事件,建议在二极管前端增加限流或吸收元件,避免超出瞬态功耗极限。

六、封装与可靠性

SOD-123 小型贴片封装,适合自动贴装、回流焊接。器件额定结温 -55 ℃~+150 ℃,适应宽温应用,但在高温或散热受限的条件下需按 Pd 限制电流并注意长期可靠性。

七、采购与型号识别

  • 型号:MMSZ5229B_R1_00001
  • 品牌:PANJIT(强茂)
  • 封装:SOD-123
    购买与选型时,请参考 PANJIT 官方数据手册以获取完整的测试条件、曲线图与封装尺寸,确保设计与实际应用条件一致。

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