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1N5241B
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Fairchild Semiconductor

品牌:

Fairchild Semiconductor

型号:

1N5241B

编号:

L51788195

包装:

-

批号:

-

封装:

DO-204AH，DO-35，轴向

描述:

-

  • 产品参数
  • 产品概述

PDF描述：Voltage regulator diodes 稳压二极管

1N5241B_AY_10001 产品概述

一、产品简介

PANJIT（强茂）1N5241B_AY_10001 为独立式稳压二极管（Zener），标称稳压值 11V，稳压范围 10.45V ~ 11.55V。器件为单只封装，DO-35 轴向玻璃封装，适用于空间受限的通用稳压和钳位场合。

二、主要电气参数

  • 标称稳压：11V（范围 10.45V ~ 11.55V）
  • 反向电流 Ir：2 μA @ 8.4V（低电流漏泄特性）
  • 耗散功率 Pd：500 mW（请注意热量管理）
  • 动态阻抗：Zzt = 22 Ω（在测试电流下），Zzk = 600 Ω（低电流拐点处）
    说明：较低的 Zzt 表示在规定测试电流下有较好的稳压能力；较高的 Zzk 表示在非常小的偏置电流下稳压性能下降，应保证足够的稳压电流以维持稳定输出。

三、典型应用场景

  • 低功耗电路的基准稳压和偏置源
  • 简单的限压与过压保护、浪涌钳位
  • 模拟信号的电平移位与保护二极管
    适合用于对精度要求中等、成本和体积敏感的应用场合。

四、设计与使用注意事项

  1. 功率与散热：Pd 为 500 mW，为避免过热，应计算实际耗散（P = (Vin - Vz) × Iz）并留有余量，必要时通过增大散热铜箔或升高器件功率等级处理。
  2. 工作电流：由于 Zzk 较大，务必保证稳压电流 Iz 在合理范围（视电路要求）以获得稳定输出。常见设计中使用限流电阻 Rs，计算公式：Rs = (Vin - Vz) / (Iz + IL)。例如 Vin=15V、Vz=11V、负载 IL=1 mA，若取 Iz≈5 mA，则 Rs≈667 Ω（示例仅供参考，请按实际要求调整）。
  3. 冲击与浪涌：避免长期承受超过额定功率的脉冲能量，必要时并联串联限流元件或使用更高功率级别器件。
  4. 焊接与机械：DO-35 玻璃封装易于手工或波峰焊处理，避免过热和机械应力破坏，焊后建议检查外观完整性。

五、封装与可靠性

DO-35 轴向玻璃封装，适合穿孔安装，可靠性好、封装绝缘性强。适用于一般商业与工业环境，详尽环境与寿命参数请参见 PANJIT 数据手册。

六、选型建议

若电路需要更高精度、低温漂或更大功率能力，应考虑功率更高或精密稳压源替代；选择时关注稳压容差、动态阻抗及耗散功率匹配实际工况。获取样片或工程样机测试性能，能有效验证设计可靠性。

如需完整数据手册或参数曲线，请参考 PANJIT 官方资料以获得详尽的测试条件和典型特性曲线。

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