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1N4757A

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Taiwan Semiconductor Corporation

品牌:

Taiwan Semiconductor Corporation

型号:

1N4757A

编号:

L51794380

包装:

-

批号:

-

封装:

DO-204AL,DO-41,轴向

描述:

-

  • 产品参数
  • 产品概述

PDF描述:SILICON 1 WATT ZENER DIODES 硅1瓦齐纳二极管

1N4757A 产品概述

一、产品简介

1N4757A 是一款独立式稳压二极管(Zener),标称稳压值为 51V,额定耗散功率 1W,封装为常见的 DO-41 轴向引线形式。该器件由 DOWO(东沃) 生产,适用于需要中高稳压参考和浪涌钳位的电路场合。

二、主要规格要点

  • 稳压值(标称):51V
  • 最大耗散功率(Pd):1W
  • 反向漏电流(Ir):100nA(在 38.8V 条件下测得)
  • 动态阻抗(Zzt):95Ω
  • 峰值/拐点阻抗(Zzk):1.5kΩ
  • 工作结温范围:-55℃ ~ +175℃
  • 封装形式:DO-41(轴向独立式)

三、性能特点与意义

  • 低漏电流:100nA 的漏电流在中等电压档位下表现良好,适合对静态电流敏感的参考电路。
  • 较高的稳压阻抗:Zzt=95Ω 表示在测试工作点附近的动态阻抗较大,输出纹波抑制能力有限,适合作为简单稳压或保护元件而非精密基准源。
  • 宽温度范围:-55℃ 到 +175℃ 的结温范围使其可用于工业级及极端环境应用。
  • DO-41 封装便于手工和自动化焊接,适合原型与批量生产。

四、典型应用场景

  • 中高电压的简单稳压器或参考电压源(对精度要求不高时)
  • 电源浪涌钳位、反向过压保护
  • 通信设备、测试仪器、工业控制中的电压钳位与保护电路
  • 需要高温或宽温运行环境的电子模块

五、使用与散热建议

  • 最大允许直流稳压电流可按 Pd / Vz 估算,约为 1W / 51V ≈ 19mA,实际使用应留有裕量并考虑出现的功率脉冲。
  • 在常温下连续工作时应确保器件功耗不超过额定 1W;若环境温度升高需按器件热阻和系统散热条件进行降额使用。
  • DO-41 为轴向封装,焊接时避免长时间加热结点,安装时保留一定的散热路径和间隙以利散热。

六、选型与注意事项

  • 若电路对稳压精度或噪声有较高要求,建议选择低阻抗、高精度的基准源或更大功率的稳压二极管并配合合适的串联电阻与滤波。
  • 使用前请参考完整数据手册,确认在您的工作点下 Zener 的测试电流(Izt)及其他温度相关参数,以保证长期可靠性。
  • 关注冲击脉冲功率和瞬态条件,必要时增加限流或吸收元件以保护 1N4757A 不被过载。

总结:1N4757A(51V,1W,DO-41,DOWO)为一款适用于中高电压稳压与过压保护的通用型稳压二极管,具有低漏电和宽温度适应性,适合工业级应用场景,但在对精度或动态响应有较高要求的场合需慎重选用或配合辅助电路。

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