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IRF7341TRPBF

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Infineon Technologies

品牌:

Infineon Technologies

型号:

IRF7341TRPBF

编号:

L51834146

包装:

-

批号:

-

封装:

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

描述:

-

  • 产品参数
  • 产品概述

产品参数

产品属性 属性值
商品目录 场效应管(MOSFET)
数量 2个N沟道
漏源电压(Vdss) 55V
连续漏极电流(Id) 4.7A
导通电阻(RDS(on)) 50mΩ@10V,4.7A
耗散功率(Pd) 2W
阈值电压(Vgs(th)) 1V
栅极电荷量(Qg) 36nC
输入电容(Ciss) 740pF
反向传输电容(Crss) 71pF
工作温度 -55℃~+150℃

PDF描述:HEXFET® Power MOSFET HEXFET®功率MOSFET

产品概述:IRF7341TRPBF

引言

IRF7341TRPBF 是英飞凌(Infineon)推出的一款高性能双 N 沟道场效应晶体管(MOSFET),专为低功耗、高效能应用而设计。它采用先进的制造技术,提供优越的电气特性和可靠性,适用于各种电子电路中的开关和放大应用。

基本规格

IRF7341TRPBF 的关键电气参数如下:

  • 漏源电压 (Vdss):55V
  • 连续漏极电流 (Id):4.7A(在 25°C 条件下)
  • 栅源极阈值电压 (Vgs(th)):1V @ 250µA
  • 漏源导通电阻 (RDS(on)):50mΩ @ 4.7A, 10V
  • 最大功率耗散:2W (在环境温度 Ta=25°C)
  • 工作温度范围:-55°C 至 150°C (TJ)
  • 封装类型:SO-8(0.154",3.90mm 宽)

电气特性

IRF7341TRPBF 的显著特点是其低导通电阻和高漏源电流能力,使其在高电压和高电流的应用场合中极具竞争力。50mΩ 的导通电阻确保在通电时的能量损耗最小化,从而提升整体能效。其 Vgs(th) 为 1V,表示该 MOSFET 的开启电压非常低,非常适合逻辑电平应用,例如与微控制器或数字电路级联时。

工作性能

该器件在多种工作条件下都表现出良好的电气性能。漏源电流 Id 最大可达到 4.7A,适合在中等功率的应用中工作。其设计考虑到高频率工作所需的输入电容 (Ciss) 为 740pF @ 25V,确保在快速开关操作时保持良好的信号完整性。

应用场景

IRF7341TRPBF 被广泛应用于各种工业和消费类电子产品中,包括但不限于:

  • 开关电源
  • 电机驱动电路
  • LED 驱动器
  • 线性稳压器
  • DC-DC 转换器

其逻辑电平门特性使该 MOSFET 特别适合用于低电压控制电路,广泛适用于嵌入式系统中,如智能手机、微控制器、FPGA 和其他数字电路。

热管理与封装

IRF7341TRPBF 的最大功率耗散为 2W,结合其广泛的工作温度范围(-55°C 至 150°C),在设计时可以使用户更好地进行热管理。SO-8 表面贴装型封装也使其在 PCB(印刷电路板)设计中更加灵活,适合高密度布局要求。

总结

综上所述,IRF7341TRPBF 是一款高效能、低功耗的双 N 沟道 MOSFET,搭载了一系列出色的电气特性和广泛的应用场景。无论是用于工业设备还是消费电子产品,该 MOSFET 的性能都能满足现代电子设计的要求。因此,IRF7341TRPBF 是提高系统效率、降低能耗的重要选择,助力工程师在电子产品设计中取得更高的成就。

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