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DTC043ZMT2L

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Rohm Semiconductor

品牌:

Rohm Semiconductor

型号:

DTC043ZMT2L

编号:

L51839156

包装:

-

批号:

-

封装:

SOT-723

描述:

-

  • 产品参数
  • 产品概述

产品参数

产品属性 属性值
商品目录 数字晶体管
晶体管类型 -
集射极击穿电压(Vceo) 50V
集电极电流(Ic) 100mA
耗散功率(Pd) 150mW
直流电流增益(hFE) 80@5mA,10V
最小输入电压(VI(on)) 1.1V
输出电压(VO(on)) 50mV
输入电阻 4.7kΩ
电阻比率 10
工作温度 -55℃~+150℃

PDF描述:Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, VMT3, SC-105AA, 3 PIN

DTC043ZMT2L 产品概述

DTC043ZMT2L是由ROHM(罗姆)公司制造的一款高性能数字晶体管,采用了NPN - 预偏压的设计,广泛应用于需要小型化和高效能的电子设备中。这款晶体管具有150mW的额定功率,最高集电极电流可达100mA,使得它在各类电路中能够满足一定功率和电流的需求。它的封装类型为SOT-723,适合于表面贴装的PCB设计,方便集成于各种电子产品中。

关键参数

  1. 额定功率与电流特性

    • 额定功率:150mW
    • 集电极电流 (Ic):最大值为100mA,适合大多数低功耗设备。
    • 集射极击穿电压 (Vce):最大值为50V,适合多种高电压场合。
  2. 电流增益 (hFE)

    • 此器件在特定条件下的直流电流增益(hFE)最小值为80(@ 5mA,10V)。这意味着在低电流驱动下,能有效地增强输出信号。
  3. 饱和压降

    • 在500µA和5mA的最高集电极电流下,Vce饱和压降的最大值为150mV。这项指标在高频开关和线性放大应用中至关重要,能够确保有效的信号传递。
  4. 截止电流

    • 集电极截止电流的最大值为500nA,有助于提升电路的整体性能,降低待机功耗。
  5. 频率响应

    • DTC043ZMT2L具备高达250MHz的跃迁频率,适合于高频应用,能够满足数字电路及高速信号处理的要求。
  6. 电阻

    • 基极电阻 (R1) 为4.7 kΩ,发射极电阻 (R2) 为47 kΩ,这些电阻值可帮助设计人员在电路中有效控制增益和工作状态。

应用场景

DTC043ZMT2L适用于各种电子设备的应用,尤其是便携式电子产品如手机、平板电脑、智能家居产品等。由于它具有小巧的SOT-723封装,适合在空间有限的小型设备中使用,同时也能够有效处理高频率信号。此外,它还适合用于信号放大器、开关电源、RF放大器等场合,表现出色。

设计优势

  1. 小型化与集成性

    • SOT-723封装使得DTC043ZMT2L非常适合现代电子产品的轻薄设计,便于在有限的空间中进行精密设计。
  2. 高效能

    • 该晶体管的高增益和低饱和压降特性,为电路设计提供了更多的灵活性,使得它在多种工作条件下都能平稳运行。
  3. 低功耗

    • 在待机模式下其极低的截止电流,有助于延长电源的使用寿命,尤其在便携式电子产品上体现得淋漓尽致。

总结

DTC043ZMT2L是ROHM公司为需求多样化市场推出的一款高品质数字晶体管,其适用的电气特性和小型化设计使其在现今的电子技术中扮演着重要角色。凭借其优异的性能和广泛的应用领域,这款器件能够满足从消费电子到工业应用的多种需求,在设计时提供更多可能性,为产品开发创造价值。

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