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DTC143E
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DTC143E

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onsemi

品牌:

onsemi

型号:

DTC143E

编号:

L51840014

包装:

-

批号:

-

封装:

-

描述:

-

数据手册
  • 产品参数
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  • 产品概述

PDF描述：NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR NPN硅偏置电阻晶体管

DTC143EUAT106 产品概述

一、产品简介

DTC143EUAT106 是 ROHM（罗姆）公司提供的一款高性能数字晶体管，其主要特点是额定功率为200mW，具备出色的集射极击穿电压（Vce）为50V，集电极电流（Ic）最大值为100mA。这款晶体管采用 NPN 预偏置结构，适合用于多种数字电路和信号放大应用。

二、主要特征

  1. 高额定功率：DTC143EUAT106 的额定功率为200mW，这使其能够支持更高的工作电流和功率，适合对功率要求较高的应用场合。

  2. 集射极击穿电压：最大集射极击穿电压 Vce 为 50V，为电路提供了良好的安全裕度，对于高压供电的设备非常适用。

  3. 集电极电流能力：该晶体管能承受最高 100mA 的集电极电流，适合中等功率的放大和开关电路，满足大多数数字电路的需求。

  4. 小饱和压降：在最大 500μA 的基极电流和 10mA 的集电极电流下，其饱和压降最大值仅为 300mV，确保了高效的信号放大性能及较低的热损耗。

  5. 频率响应：具备高频响应能力，其跃迁频率为 250MHz，适应高速信号传输的需求，适合用于高频开关电路和高速运算应用。

  6. 可靠的增益特性：在电流为 10mA 和电压 5V 时，最小 DC 电流增益（hFE）为 30，为电路设计提供了稳定的增益，确保可靠的信号放大。

  7. 超低截止电流：最大集电极截止电流只有 500nA，可保证在截止状态下的低漏电流，使其在低功耗应用中更加适合。

  8. 表面贴装型设计：该器件的表面贴装型设计（SOT-323/SC-70封装）不仅节省空间，还便于在现代电子产品中进行自动化贴装，提升生产效率。

三、应用场景

DTC143EUAT106 的设计使其非常适合用于多种电子设备中的数字信号处理和开关控制，如：

  • 信号放大器：尤其适用于无源信号传输中的信号放大，提高系统的信噪比。
  • 高频开关电路：凭借其250MHz的频率特性，能够被广泛应用于各种开关电路中。
  • 数字电路：适合用于逻辑电平转换及驱动高电流负载等场合。
  • 便携式设备：由于其小巧的封装及低功耗特性，使其适合于智能手机、平板电脑等便携式电子设备的应用。

四、总结

总体来看，DTC143EUAT106 是一款性能卓越的数字晶体管，结合了高功率承载，上佳的频率响应以及极低的截止电流，适用于多种高标准的电子应用领域。ROHM（罗姆）作为信誉卓著的电子元器件供应商，凭借其先进的技术和优质的产品，DTC143EUAT106 将成为设计师和工程师在开发高性能数字电路时的一项重要选择。其在市场上的广泛应用，充分证明了其卓越的性能和价值。

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