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DTC143ZE

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Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.

品牌:

Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.

型号:

DTC143ZE

编号:

L51840881

包装:

-

批号:

-

封装:

-

描述:

-

  • 产品参数
  • 产品概述

产品参数

产品属性 属性值
商品目录 数字晶体管
晶体管类型 1个NPN-预偏置
集射极击穿电压(Vceo) 50V
集电极电流(Ic) 100mA
耗散功率(Pd) 150mW
直流电流增益(hFE) 80@10mA,5V
最小输入电压(VI(on)) 1.3V
最大输入电压(VI(off)) 500mV
输出电压(VO(on)) -
输入电阻 4.7kΩ
电阻比率 10
工作温度 -

PDF描述:Digital transistors (built-in resistors) 数字晶体管(内置电阻)

LDTC143ZET1G 产品概述

概要

LDTC143ZET1G 是一款由乐山无线电(LRC)生产的数字晶体管,属于NPN预偏置类型,采用SC-89封装。这种晶体管设计用于各种数字电路应用,特别适合需要高可靠性和稳定性能的场景。

基础参数

  • 功率(Pd): 200 mW
    • 这表明该晶体管在正常工作条件下可以承受的最大功率,确保其在高负载情况下不会过热。
  • 商品分类: 数字晶体管
    • 作为数字晶体管,它主要用于开关和逻辑电路中。
  • 工作温度: -55℃ ~ +150℃
    • 宽泛的工作温度范围使其适用于各种环境条件下的应用,从极寒到高温环境。
  • 电阻比率: 0.1
    • 这个参数反映了输入电阻与输出电阻之间的比值,对于预偏置晶体管来说,这个比值有助于简化驱动电路的设计。
  • 直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 80 @ 5 mA, 10 V
    • 在集电极电流为5 mA和集电极-发射极电压为10 V时,直流电流增益达到80。这意味着该晶体管具有良好的放大能力。
  • 输入电阻: 4.7 kΩ
    • 输入电阻较高,减少了对驱动电路的负载,提高了整体系统的效率。
  • 输出电压(VO(on)@Io/Ii): 200 mV
    • 在开启状态下,输出电压仅为200 mV,表明该晶体管在开启时具有很低的饱和电压,减少能量损耗。
  • 集射极击穿电压(Vceo): 50 V
    • 高达50 V的集射极击穿电压保证了该晶体管在高压环境下仍能正常工作。
  • 集电极电流(Ic): 100 mA
    • 最大集电极电流为100 mA,满足中小功率应用的需求。

应用场景

LDTC143ZET1G 数字晶体管广泛应用于以下领域:

  • 数字逻辑电路:
    • 作为逻辑门(如AND、OR、NOT门)或触发器等数字逻辑元件。
  • 开关电路:
    • 用于控制LED、继电器、电机等负载的开关应用。
  • 信号放大和缓冲:
    • 在需要信号放大或缓冲的情况下,利用其高增益和低饱和电压特性。
  • 自动控制系统:
    • 在工业自动化、机器人控制等领域,作为控制信号的开关和放大元件。
  • 消费电子产品:
    • 手机、平板电脑、智能家居设备等消费电子产品中,用于各种控制和逻辑功能。

优势

  1. 高可靠性:
    • 宽泛的工作温度范围和高集射极击穿电压保证了其在恶劣环境下的可靠性。
  2. 低能耗:
    • 低饱和电压和高增益设计减少了能量损耗,提高了系统效率。
  3. 简化驱动电路:
    • 预偏置设计和高输入电阻简化了驱动电路的设计,减少了外部元件数量。
  4. 小型化封装:
    • 采用SC-89封装,使其适合于空间有限但要求高性能的应用场景。

使用注意事项

  1. 热管理:
    • 尽管该晶体管具有200 mW的最大功率,但在高负载情况下仍需要注意散热问题,以避免过热导致的故障。
  2. 电压保护:
    • 确保操作电压不超过指定的集射极击穿电压,以防止损坏。
  3. 静电保护:
    • 在处理和安装过程中,应采取适当的静电保护措施,以防止静电损伤。

总结

LDTC143ZET1G 是一款功能强大、可靠性高的数字晶体管,适用于广泛的数字电路应用。其优异的性能参数和小型化封装使其成为许多工程师和设计师的首选。通过了解其基础参数和应用场景,可以更好地利用这一元件,实现高效、可靠的电子系统设计。

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