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DTC123EUAT106

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Rohm Semiconductor

品牌:

Rohm Semiconductor

型号:

DTC123EUAT106

编号:

L51842402

包装:

-

批号:

-

封装:

SC-70,SOT-323

描述:

-

  • 产品参数
  • 产品概述

产品参数

产品属性 属性值
商品目录 数字晶体管
晶体管类型 -
集射极击穿电压(Vceo) 50V
集电极电流(Ic) 100mA
耗散功率(Pd) 200mW
直流电流增益(hFE) 20@20mA,5V
最小输入电压(VI(on)) -
输出电压(VO(on)) 300mV
输入电阻 2.2kΩ
电阻比率 1
工作温度 -40℃~+150℃

PDF描述:Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, UMT3, SC-70, 3 PIN

DTC123EUAT106产品概述

一、产品简介

DTC123EUAT106是一款由日本著名半导体制造商ROHM(罗姆)生产的数字晶体管,其采用表面贴装型(SMD)UMT3封装,具有优异的性能和适用性。该产品属于NPN预偏置晶体管,其设计旨在满足现代电子电路对小型化、高效率和可靠性的需求。

二、主要参数

  1. 电流与功率
    DTC123EUAT106能够承受最大集电电流(Ic)为100mA,集电电流截止最大值为500nA。这使得该晶体管适用于各种需要控制电流的场合,特别是在低功耗应用中。最大功率为200mW,满足了大多数小型电子设备的要求。

  2. 电压特性
    该元件的最大集电极-发射极击穿电压(Vce)达到50V,提供了一定的电压裕度,适合于大多数中等电压的电路架构,为可靠性提供了保障。

  3. 电气特性
    DTC123EUAT106在不同Ib、Ic情况下,具有最大饱和压降(Vce(sat))为300mV(在500µA及10mA时),确保了在开关操作时的低功耗表现。此外,其在20mA和5V条件下的DC电流增益(hFE)的最小值为20,表明该晶体管在放大电流方面的良好特性。

  4. 电阻器配置
    此产品内置了基极和发射极电阻器,均为2.2 kOhms,简化了电路设计,提高了电路的稳定性。

  5. 频率特性
    此数字晶体管的跃迁频率达250MHz,适合于高频信号处理和开关电路,强调了该产品在高频应用场景中的可用性。

三、应用领域

DTC123EUAT106的诸多特性使其广泛适用于以下领域:

  • 数字电路:由于其内置的预偏置和优良的开关特性,该晶体管非常适合用于数字逻辑电路、计数器和开关电源。
  • 信号处理:凭借250MHz的高频特性,DTC123EUAT106可用于各种信号处理应用中,如信号放大和调制解调。
  • 传感器接口:可广泛应用于传感器电路,作为信号放大器,从而提升信号的可检测性。
  • 便携式设备:由于其小型化的特性和低功耗规格,此晶体管非常适合用于如智能手机、穿戴设备等便携式电子产品中。

四、封装与安装

DTC123EUAT106采用UMT3封装,该封装形式体积小、重量轻,极大地提升了焊接效率,适合于自动化的表面贴装工艺(SMT)。这种封装还能有效地降低电路板的整体空间占用,实现更高的集成度与轻薄化设计。

五、总结

DTC123EUAT106是一款集高效率、低功耗与高频特性于一体的NPN数字晶体管,凭借其卓越的电气性能和便捷的封装形式,广泛适用于现代电子产品的设计与应用。如果您正在寻找一款可靠、高效的小型NPN晶体管,DTC123EUAT106将是一个值得考虑的方案。

ROHM的这款产品以其优异的性价比和强大功能,满足了市场对于高性能集成电路的需求。我们相信,凭借 DTC123EUAT106 的特性和应用广泛性,它将在数字电子及低功耗设备中扮演重要的角色。

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