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UMD12NTR

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Rohm Semiconductor

品牌:

Rohm Semiconductor

型号:

UMD12NTR

编号:

L51842796

包装:

-

批号:

-

封装:

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

描述:

-

  • 产品参数
  • 产品概述

产品参数

产品属性 属性值
商品目录 数字晶体管
晶体管类型 -
集射极击穿电压(Vceo) 50V
集电极电流(Ic) 100mA
耗散功率(Pd) 150mW
直流电流增益(hFE) 68@5mA,5V
最小输入电压(VI(on)) 3V
输出电压(VO(on)) 300mV
输入电阻 47kΩ
电阻比率 1
工作温度 -55℃~+150℃

PDF描述:Power management (dual digital transistors) 电源管理(双数字晶体管)

UMD12NTR 产品概述

UMD12NTR是ROHM公司推出的一款数字晶体管,采用NPN和PNP预偏置配置,专为各种电子应用而设计,尤其适合数字电路和开关应用。该产品的主要特点包括其较高的功率处理能力、出色的频率响应和多种安装选项,旨在满足现代电子设备对高效、紧凑组件的需求。

基本参数

UMD12NTR的额定功率为150mW,集电极电流(Ic)最大可达到100mA,集射极击穿电压(Vce)最高可达50V。这些参数使其在多种电源应用中表现出色,能够承受相对较高的电流和电压,适合用于驱动和切换负载。

晶体管类型及特性

该器件包含一个NPN晶体管和一个PNP晶体管的组合设计,通常称为“数字晶体管”。这种配置简化了电路设计,因为它内置了偏置电阻,可以在开关应用中消除外部基极电阻的需求。UMD12NTR通过预偏置设计,实现对输入信号的快速响应和低功耗操作。

电流增益与饱和特性

UMD12NTR的直流电流增益(hFE)在不同的Ic和Vce条件下具有良好的性能。其在5mA集电极电流和5V收集电压下的增益最小值为68,保证了该晶体管在中等负载条件下能够提供稳定的增益。在饱和状态下,产品在可达500µA的基极电流和10mA的集电极电流情况下,提供的最大饱和压降为300mV,这使得UMD12NTR在快速开关操作时具有较低的功耗损失。

频率响应

该器件的跃迁频率达到250MHz,充分满足高频应用的需求。这一特性使UMD12NTR非常适合用于高速信号处理和数据信号的开关,能够在高速环境中保持良好的工作性能。

设计与封装

UMD12NTR的封装采用了流行的6-TSSOP(小型薄型塑料表面贴装封装),符合SC-88和SOT-363标准。小巧的体积使其能够在紧凑的PCB设计中有效配置,同时也便于大规模生产的自动化贴装。

应用场景

UMD12NTR广泛应用于各种电子设备中,包括但不限于:

  • 数字信号开关
  • 功率放大器
  • 继电器驱动
  • LED驱动电流中的开关组件

此外,由于其低功耗和高效率,UMD12NTR还被广泛应用于便携式电子设备中,确保设备在电池供电的情况下仍能实现优异的性能。

总结

UMD12NTR作为一款性能优异的数字晶体管,结合了多种优良特性,如高功率处理能力、快速开关频率以及紧凑的封装尺寸,适用于现代电子设计。ROHM公司凭借其丰富的经验和技术积累,提供了这一款满足市场需求的高质量产品,期待UMD12NTR能在您的设计中发挥重要作用。无论您是在进行新产品开发,还是在提升现有设备性能,UMD12NTR都是值得考虑的重要元件。

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