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UMH11NTN

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Rohm Semiconductor

品牌:

Rohm Semiconductor

型号:

UMH11NTN

编号:

L51842802

包装:

-

批号:

-

封装:

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

描述:

-

  • 产品参数
  • 产品概述

产品参数

产品属性 属性值
商品目录 数字晶体管
晶体管类型 -
集射极击穿电压(Vceo) 50V
集电极电流(Ic) 100mA
耗散功率(Pd) 150mW
直流电流增益(hFE) 30@5mA,5V
最小输入电压(VI(on)) -
输出电压(VO(on)) 300mV
输入电阻 10kΩ
电阻比率 1
工作温度 -40℃~+150℃

PDF描述:NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) NPN 100毫安50V复杂的数字晶体管(偏置电阻内置晶体管)

UMH11NTN 产品概述

UMH11NTN 是 ROHM(罗姆)推出的一款双 NPN 数字晶体管,其设计旨在提供可靠的性能和高效的电流控制,广泛应用于各种数字电路和切换应用中。其采用先进的半导体技术,结合优化的电路设计,使其在多种环境条件下都能表现出色。

基本特性

UMH11NTN 的封装类型为 UMT6,符合通过表面贴装(SMT)工艺实现高效集成的趋势。这种封装形式不仅减小了电路板的占用面积,也提升了设备的整体性能,适合现代电子产品对功能密度和小型化的需求。产品的封装尺寸紧凑,使其在复杂电路中也能轻松应用,尤其是在智能手机、便携式设备和消费电子中。

电子性能

  1. 电压与电流处理能力
    UMH11NTN 的集射极击穿电压(Vce)最大可达 50V,意味着其能够在高电压条件下工作,适用于多种电源管理和信号调节场合。此外,集电极电流(Ic)的最大值为 100mA,确保能够控制较大的负载,适合驱动多种外部器件。

  2. 电流增益
    此器件的直流电流增益(hFE)在不同的集电极电流(Ic)和基极电流(Ib)下表现稳定,最低可达 30,通常在 5mA 和 5V 的工作条件下测得。这使得 UMH11NTN 在小信号放大应用中也能保持良好的性能。

  3. 功率及功率耗散
    该产品的最大功率耗散为 150mW,足以满足一般电子电路的需求,同时在设计时也需要考虑适当的散热措施,以防止工作时温度过高而影响器件性能。

  4. 饱和与截止特性
    UMH11NTN 的 Vce 饱和压降在 500µA 和 10mA 时最大为 300mV,显示出其在饱和状态下良好的开关性能。同时,当器件处于截止状态时,集电极电流最大为 500nA,具有出色的关断特性,适合高效低功耗的电路设计。

  5. 频率性能
    此外,UMH11NTN 拥有高达 250MHz 的跃迁频率,适合快速开关及频率响应要求高的应用。这样的性能使其在音频放大器、射频(RF)应用及其他需要快速动态响应的场合中表现出色。

应用领域

UMH11NTN 适用于多种电子应用,如:

  • 开关电路:在各种数字电路中,为信号的控制与切换提供支持。
  • 小信号放大:可用于传感器信号放大、调制解调器等设备。
  • 电源管理:在电源开关、稳压器及其他功率转换设备中获得广泛应用。
  • 便携式设备:由于其小巧的封装和高效的电流管理,极其适合用于移动电话、平板电脑及便携式游戏机等设备中。

结论

UMH11NTN 作为一款高性能双 NPN 数字晶体管,凭借其优秀的电气特性、便捷的封装形式和可靠的工作稳定性,成为工程师设计电路时的优选组件。无论是在消费电子、工业控制、还是通信设备领域,该元件均能为设计带来价值和可靠的解决方案。ROHM 的专业技术和严格的品质控制,使得 UMH11NTN 在市场中具有竞争优势,成为众多设计师青睐的品牌和型号。

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