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UMH10N

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Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.

品牌:

Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.

型号:

UMH10N

编号:

L51843225

包装:

-

批号:

-

封装:

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

描述:

-

  • 产品参数
  • 产品概述

产品参数

产品属性 属性值
商品目录 数字晶体管
集射极击穿电压(Vceo) 50V
集电极电流(Ic) 100mA
耗散功率(Pd) 150mW
直流电流增益(hFE) 80@10mA,5V
最小输入电压(VI(on)) 1.1V
最大输入电压(VI(off)) 500mV
输出电压(VO(on)) 300mV
输入电阻 2.86kΩ
电阻比率 -
工作温度 -55℃~+150℃

PDF描述:General purpose (dual digital transistors) 通用(双数字晶体管)

UMH10NTN 产品概述

UMH10NTN是一款由知名电子元器件制造商ROHM(罗姆)生产的数字晶体管,该产品在设计上集成了两个NPN晶体管,采用了预偏置结构,适用于多种电子电路应用。它以其高性能的电气参数、优良的封装形式和适应广泛的应用场景而受到市场的广泛欢迎。

基本特性

UMH10NTN的主要参数如下:

  • 晶体管类型:这款产品由两个NPN晶体管组成,能够在各种开关电路和放大电路中发挥重要作用。
  • 集电极电流最大值(Ic):该晶体管的集电极电流最大值为100mA,允许在高电子流动条件下运行而不易损坏,适合于中等功率的应用。
  • 集射极击穿电压(Vce(max)):具有50V的击穿电压,意味着在未熔断的情况下,能承受的最高电压相对较高,适应能力强。
  • 基极电阻(R1)和发射极电阻(R2):基极电阻为2.2千欧,发射极电阻为47千欧,这一电路设计确保了良好的电流控制和稳定性。

电流增益与参数

UMH10NTN的直流电流增益(hFE)在不同的集电极电流(Ic)和电压(Vce)条件下,最小能够达到80 @ 10mA,5V。这表明其在标准条件下的增益非常出色,保证了信号在传输过程中的有效放大。

饱和压降(Vce(sat))的最大值为300mV @ 250µA,5mA,意味着在充分驱动晶体管的条件下,其能保持低压降,提高能量转换效率。这一参数尤其适合高频和低功耗的应用。

在集电极截止电流(Ic(off))方面,最大值仅为500nA,显示出其在关闭状态时的低漏电流特性,进一步减少了不必要的功耗。

频率响应与功率

UMH10NTN具有频率跃迁能力高达250MHz,表明其在高频应用中的适用性,如射频(RF)电路和开关电源等。同时,其额定功率最大值为150mW,适合要求中等功率的应用场景。

封装与安装

UMH10NTN使用6-TSSOP封装(SC-88,SOT-363),属于表面贴装型电子元器件。这一封装形式不仅使得安装过程更加简便,还有效节省了电路板的空间,符合现代消费电子产品对高集成度的需求。其小巧的设计适合于移动设备和高密度电路板等多种应用。

应用领域

UMH10NTN广泛应用于消费电子、通信设备、工业控制、汽车电子等多个领域。因其低功耗特性和高频性能,该晶体管在无线设备、开关电源、LED驱动器以及各种信号放大电路中尤为常见。

总结

UMH10NTN是一款高性能的数字晶体管,凭借其出色的电气参数和小巧的封装设计,成为各类电子设备中不可或缺的重要元器件。无论是在提高电子电路的效率、降低能耗,还是在实现更高频率的信号传输方面,该产品的应用潜力十分巨大,是电子工程师在设计电路时的优选元件。

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