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ML51EC0AE

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Nuvoton Technology Corporation

品牌:

Nuvoton Technology Corporation

型号:

ML51EC0AE

编号:

L56746619

包装:

-

批号:

-

封装:

28-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)

描述:

IC MCU 8BIT 32KB FLASH 28TSSOP

  • 产品参数
  • 产品概述

详细描述:8051 NuMicro ML51 微控制器 IC 8 位 24MHz 32KB(32K x 8) 闪存 28-TSSOP


产品参数

产品属性 属性值
DigiKey 可编程 未验证
EEPROM 容量 -
I、O 数 24
RAM 大小 2K x 8
供应商器件封装 28-TSSOP
内核规格 8 位
制造商 Nuvoton Technology Corporation
包装 管件
基本产品编号 ML51EC0
外设 欠压检测、复位,LVR,POR,PWM,WDT
安装类型 表面贴装型
封装、外壳 28-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
工作温度 -40°C ~ 105°C(TA)
振荡器类型 内部
数据转换器 A、D 8x12b SAR
核心处理器 8051
电压 - 供电 (Vcc、Vdd) 1.8V ~ 5.5V
程序存储器类型 闪存
程序存储容量 32KB(32K x 8)
系列 NuMicro ML51
连接能力 I2C,SPI,UART、USART
速度 24MHz
零件状态 在售

PDF描述:1T 8051 8-bit Microcontroller

ML51EC0AE 产品概述

ML51EC0AE 是新唐(NUVOTON)基于经典 8051 内核的低功耗、通用型单片机,面向工业控制、消费电子与嵌入式外围控制场景。器件采用 8 位 8051 内核,内置 32KB Flash 程序存储、2KB SRAM,丰富的片上外设和宽电源电压范围,便于在多种系统环境中快速开发与部署。

一、核心与存储资源

  • 内核规格:8051 8 位,最高工作频率 24 MHz(内部振荡器)。
  • 程序存储:32KB(32K x 8)Flash,类型为可擦写闪存,适合现场固件升级与多固件版本管理。
  • 数据存储:2KB x 8 SRAM,满足中小型控制任务、缓冲与运行时变量存储需求。
  • I/O 数量:24 个通用 I/O,适合多路开关、指示灯与简单外设控制。

二、片上外设与接口

  • 通信接口:支持 I²C、SPI、UART/USART,便于与传感器、外扩 EEPROM、蓝牙/Wi-Fi 模组通信。
  • A/D:8 通道 12-bit SAR ADC,适合模拟传感器采集与多路电压测量。
  • PWM:片上 PWM 单元,可用于电机、背光或模拟输出控制。
  • 看门狗(WDT):增强系统可靠性,支持异常恢复。
  • 复位与电源监测:支持欠压检测/复位(POR)、低压复位(LVR),提高系统在电源异常时的稳定性。

三、电气特性与封装

  • 工作电压:1.8V ~ 5.5V,适配单电池、锂电与 5V 工业电源环境。
  • 工作温度:-40°C ~ +105°C(TA),满足工业级温域需求。
  • 振荡器:内部振荡器,简化外部时钟设计;同时支持多种系统时钟配置以降低成本。
  • 封装:28-TSSOP(表面贴装),宽度 4.40 mm,便于中小批量 PCB 布局与产线贴装。

四、典型应用场景

  • 工业传感与控制:现场数据采集、模拟量读取、PWM 驱动与现场通信。
  • 家用电器与消费电子:按键控制、背光管理、低成本用户界面与外设扩展。
  • 电池供电设备:低电压支持与欠压保护,适合便携与电池管理应用。
  • 智能模组与外设控制:作为桥接 MCU,用于传感器聚合、通信协议转接等。

五、设计建议与注意事项

  • 电源与去耦:建议在 VDD 引脚处放置 0.1 μF 陶瓷去耦电容,靠近芯片,必要时加大容量的旁路电容以抑制低频干扰。
  • 时钟与精度:内部振荡器便捷但频率精度有限,若需高精度计时或通信波特率,考虑外部精密晶振。
  • 复位与上电顺序:利用 POR 与 LVR 功能可简化上电保护,但在关键应用中应设计外部复位电路作二次保障。
  • ADC 使用:采样精度受输入源阻抗与采样源稳定性影响,建议使用缓冲放大或充分采样时间以提高测量精度。
  • PCB 布局:高频信号线与模拟地尽量分离,敏感模拟线路靠近 ADC 引脚走线简短,电源地采用星型或连续地平面以降低噪声耦合。

ML51EC0AE 以其成熟的 8051 架构、丰富的外设与宽电源范围,在成本敏感且对可靠性要求较高的项目中具有很强的实用性。开发阶段可优先利用内部振荡器与片上外设缩短原型时间,量产时根据精度与抗干扰要求对时钟与电源设计做相应优化。

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