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DS1302ZN
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DS1302ZN

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Analog Devices Inc./Maxim Integrated

品牌:

Analog Devices Inc./Maxim Integrated

型号:

DS1302ZN

编号:

L56819440

包装:

-

批号:

-

封装:

8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

描述:

-

数据手册
  • 产品参数
  • 数据手册PDF
  • 产品概述

产品参数

产品属性 属性值
商品目录 实时时钟(RTC)
工作电压 2V~5.5V
工作温度 -40℃~+85℃

PDF描述： 实时时钟 (RTC) IC 时钟/日历 31B 3 线串口 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

DS1302ZN 产品概述

一、产品简介

DS1302ZN（华冠 HGSEMI 代号）是一款面向低功耗实时时钟（RTC）应用的时钟芯片，适合需要长期保持时间信息且断电后仍需维持计时的嵌入式系统。器件采用外置晶振工作、三线串行通信，封装为传统的 DIP-8，便于在面包板及插座式电路中快速调试与替换。

二、主要规格参数

  • 工作温度：-40℃ ~ +85℃
  • 静态电流（Iq）：100 nA（超低待机电流，适合电池供电长期工作）
  • 晶振：外置（通常配合 32.768 kHz 石英晶体）
  • 接口类型：三线串行接口（简洁的 CLK/IO/CE 控制线）
  • 工作电压：2.0 V ~ 5.5 V（宽电压范围，兼容多种单片机电源）
  • 耗散功率（Pd）：0.001 mW（极低功耗特性）
  • 品牌/型号：HGSEMI（华冠） DS1302ZN
  • 封装：DIP-8

三、功能特点

  • 提供年、月、日、星期、时、分、秒的计时功能，并支持闰年处理与日历滚动逻辑。
  • 外置晶振设计便于更换与调试，标准 32.768 kHz 晶体常用以获得精确走时。
  • 三线串行接口电路简单，节省引脚资源，易于与单片机和微控制器连接。
  • 宽电压和宽工作温度范围使其能在工业级和消费类产品中可靠运行。
  • 极低静态电流与耗散功率，适合集成在电池供电或能量受限的设备中以延长待机时间。
  • 支持备用电源输入，断电时可通过电池或超级电容保持时钟运行（使用时请参考具体原理图与选型说明）。

四、典型应用场景

  • 各类需长期计时的嵌入式系统：数据记录仪、远程终端、无线传感节点等。
  • 工业设备与仪表：需在极端温度环境下稳定计时的系统。
  • 消费类电子：电子表、定时控制器、闹钟模块、家用电器的实时时钟模块。
  • 开发与教学：由于 DIP-8 封装，适合原型开发和教学演示使用。

五、设计与使用要点

  • 晶体与布局：建议使用匹配的 32.768 kHz 石英晶体，并在晶体两端保持短走线及良好接地，以降低抖动和温漂。
  • 电源管理：为获得最低功耗，确保外部供电在空闲模式下有良好去耦；备用电源输入应加防反接与限流保护。
  • 接口连接：三线接口通信需遵循时序规范，读写操作注意 CE/CLK/IO 的时序关系以避免数据错位。
  • 热管理与封装：DIP-8 封装便于插拔，但若用于量产 SMT 环境，可选相应的 SMD 封装版本（如有）。
  • 调校与校准：对要求高精度的应用，可在系统上层校准计时误差或采用温度补偿方法改善长期精度。

六、封装与采购建议

DS1302ZN 在 DIP-8 封装下便于测试与替换，采购时请确认供应商为 HGSEMI（华冠）或有可靠的替代品与技术支持；批量设计中注意查看器件的温度等级与质量认证，结合实际功耗与备用电源方案做最终确认。

总结：DS1302ZN 以其超低待机电流、宽电压范围、简单的三线接口和经典的 DIP-8 封装，适合各种对功耗和可靠性有严格要求的时钟应用。设计时关注晶振布局、电源去耦与接口时序，可获得稳定可靠的计时性能。

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