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IS43DR86400E-25DBL

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

品牌:

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

型号:

IS43DR86400E-25DBL

编号:

L57158726

包装:

-

批号:

-

封装:

60-TFBGA

描述:

IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA

  • 产品参数
  • 产品概述

详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 512Mb 并联 400 MHz 400 ps 60-TWBGA(8x10.5)


产品参数

产品属性 属性值
DigiKey 可编程 未验证
供应商器件封装 60-TWBGA(8x10.5)
写周期时间 - 字,页 15ns
制造商 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
包装 托盘
基本产品编号 IS43DR86400
存储器接口 并联
存储器格式 DRAM
存储器类型 易失
存储器组织 64M x 8
存储容量 512Mb
安装类型 表面贴装型
封装、外壳 60-TFBGA
工作温度 0°C ~ 85°C(TC)
技术 SDRAM - DDR2
时钟频率 400 MHz
电压 - 供电 1.7V ~ 1.9V
系列 -
访问时间 400 ps
零件状态 在售

IS43DR86400E-25DBL 产品概述

一、基本特性

IS43DR86400E-25DBL 为 ISSI(美国芯成)出品的 DDR2 SDRAM 器件,存储容量为 512Mbit,存储器架构为 SDRAM DDR2 并行接口,典型时钟频率(fc)为 400MHz(对称数据率 DDR2-800 类)。器件适用于需要中等容量、较高带宽且对功耗有要求的嵌入式与消费类系统。

二、主要电气参数

  • 工作电压:1.7V ~ 1.9V(典型 1.8V 低压设计)
  • 工作电流:90mA(活动工作电流)
  • 刷新电流:7mA(自刷新/刷新相关静态消耗)
    上述参数反映器件在典型工作条件下的能耗水平,适合对能效有要求的手持或便携设备、低功耗通信模块等场景。

三、封装与机械特性

该型号采用 60 引脚薄型 WBGA(60TWBGA)封装,具有体积小、厚度低、散热路径短的优点,便于紧凑型 PCB 布局。BGA 引脚布局利于高频信号的完整性控制,但在焊接与维修上需采用回流焊与红外检测等专用工艺。

四、典型应用场景

  • 嵌入式控制器与工业主板的外部 DRAM 扩展
  • 网络通信设备中的缓存与数据缓冲
  • 多媒体设备与机顶盒的帧缓冲或数据缓冲区
  • 便携式与低功耗消费类产品需要的临时存储

五、设计与布局建议

为保证 DDR2 性能并降低信号完整性风险,建议在 PCB 设计与系统集成时注意以下要点:

  1. 时钟与地址/命令总线尽可能做阻抗控制并匹配线长,避免桥接式走线带来的时序不一致;
  2. 在器件电源引脚附近放置足够数量的高频旁路电容,靠近 VDD 与 VDDQ 引脚放置 0.1µF~0.01µF 多级旁路;
  3. 采用差分或单端终端策略对数据线和时钟进行适当终端,减少反射与串扰;
  4. 为刷新与电源序列预留稳定的 VREF 与电源上电顺序控制(参照主控芯片与厂商推荐的参考设计);
  5. BGA 焊盘与过孔设计按厂商推荐尺寸,确保热回流与机械可靠性。

六、可靠性与温度范围

器件工作温度为 0℃ ~ +85℃,满足商业级工业与消费级环境要求。ISSI 品牌在 DRAM 产品线有成熟的测试与质量控制流程,可提供稳定的长期供应与技术支持。

七、结论与建议

IS43DR86400E-25DBL 以其 512Mbit 容量、DDR2 并行接口和 400MHz 时钟特性,适合用于中等带宽需求且关注功耗与封装体积的设计。设计时请严格遵循 DDR2 时序、电源与布局规范,并参考 ISSI 的参考设计与数据手册以取得最佳性能与可靠性。若需替代选型、参考电路或 PCB 布局示例,可进一步提供系统主控信息以便给出更具体的设计建议。

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