详细描述:RLDRAM 3 存储器 IC 1.125Gb 并联 1.066 GHz 7.5 ns 168-BGA(13.5x13.5)
产品参数
| 产品属性 |
属性值 |
| DigiKey 可编程 |
未验证 |
| 供应商器件封装 |
168-BGA(13.5x13.5) |
| 写周期时间 - 字,页 |
- |
| 制造商 |
Micron Technology Inc. |
| 包装 |
卷带(TR) |
| 基本产品编号 |
MT44K64M18 |
| 存储器接口 |
并联 |
| 存储器格式 |
DRAM |
| 存储器类型 |
易失 |
| 存储器组织 |
64M x 18 |
| 存储容量 |
1.125Gb |
| 安装类型 |
表面贴装型 |
| 封装、外壳 |
168-TBGA |
| 工作温度 |
0°C ~ 95°C(TC) |
| 技术 |
RLDRAM 3 |
| 时钟频率 |
1.066 GHz |
| 电压 - 供电 |
1.28V ~ 1.42V |
| 系列 |
- |
| 访问时间 |
7.5 ns |
| 零件状态 |
停产 |
PDF描述: RLDRAM 3 存储器 IC 1.125Gb 并联 1.066 GHz 7.5 ns 168-BGA(13.5x13.5)