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MMBT5089

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onsemi

品牌:

onsemi

型号:

MMBT5089

编号:

L58601537

包装:

-

批号:

-

封装:

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

描述:

-

  • 产品参数

PDF描述:NPN (LOW NOISE TRANSISTOR) NPN (低噪声晶体管)

产品概述

MMBT5089 产品概述

概要

MMBT5089 是一种由 SHIKUES(时科)品牌生产的三极管(BJT),属于NPN类型。它以其高性能、可靠性和广泛的应用场景而受到广泛欢迎。以下是对 MMBT5089 的详细介绍。

基础参数

  • 功率(Pd): 200 mW
    • 这表明该三极管在正常工作条件下可以承受的最大功率。
  • 商品分类: 三极管(BJT)
    • 属于双极性晶体管,通过控制基极电流来调节集电极和发射极之间的电流。
  • 工作温度: -55℃ ~ +150℃
    • 具有宽泛的工作温度范围,适用于各种环境和应用。
  • 晶体管类型: NPN
    • 在NPN三极管中,集电极和基极之间形成了一个PN结,发射极和基极之间形成了另一个PN结。
  • 特征频率(fT): 50 MHz
    • 表示三极管在高频应用中的性能,50 MHz 的特征频率使其适用于中频和低高频电子设备。
  • 直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 400 @ 10 mA, 5 V
    • 在特定条件下(集电极电流为10 mA,集电极-发射极电压为5 V),该三极管的直流电流增益为400,这意味着基极电流可以被放大400倍。
  • 集射极击穿电压(Vceo): 25 V
    • 当基极不接通时,集电极和发射极之间可以承受的最大电压。
  • 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): 500 mV @ 10 mA, 1 mA
    • 在特定条件下(集电极电流为10 mA,基极电流为1 mA),该三极管的饱和电压仅为500 mV,这表明其在开关应用中的低损耗。
  • 集电极截止电流(Icbo): 50 nA
    • 当基极不接通时,集电极和发射极之间的漏电流极小,仅为50 nA。
  • 集电极电流(Ic): 100 mA
    • 最大允许的集电极电流为100 mA,这决定了其在实际应用中的负载能力。

封装和品牌

  • 封装: SOT-23
    • 小型化的SOT-23封装使其适用于空间有限但要求高性能的电子设备。
  • 品牌: SHIKUES(时科)
    • 由知名品牌SHIKUES生产,保证了产品的质量和可靠性。

应用场景

MMBT5089 因其优异的性能和广泛的适用范围,常见于以下几个领域:

  • 放大器和开关电路
    • 由于其高直流电流增益和低饱和电压,MMBT5089 适用于小信号放大和开关应用。
  • 中频和低高频电子设备
    • 50 MHz 的特征频率使其成为中频和低高频电子设备中的理想选择,如无线通信设备、音频设备等。
  • 汽车电子和工业控制
    • 宽泛的工作温度范围使其适用于汽车电子和工业控制领域,能够在恶劣环境下可靠运行。
  • 消费电子
    • 小型化的SOT-23封装使其成为消费电子产品如手机、平板电脑等的理想选择。

优势

  • 高增益和低损耗
    • 高直流电流增益(hFE)和低饱和电压(VCE(sat))确保了在放大和开关应用中的高效能。
  • 宽温度范围
    • 支持从-55℃到+150℃的工作温度,使其适用于各种环境条件。
  • 小型化封装
    • SOT-23封装节省空间,适用于现代电子设备的紧凑设计要求。

总结

MMBT5089 是一款性能优异、应用广泛的NPN三极管。其高直流电流增益、低饱和电压、宽工作温度范围以及小型化封装,使其成为中频和低高频电子设备、汽车电子、工业控制以及消费电子等领域的理想选择。通过选择 MMBT5089,工程师可以设计出高效、可靠且紧凑的电子系统。

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