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BC858B

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Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.

品牌:

Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.

型号:

BC858B

编号:

L58602216

包装:

-

批号:

-

封装:

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

描述:

-

  • 产品参数

产品参数

产品属性 属性值
商品目录 三极管(BJT)
晶体管类型 PNP
集电极电流(Ic) 100mA
集射极击穿电压(Vceo) 30V
耗散功率(Pd) 200mW
直流电流增益(hFE) 200@2mA,5V
特征频率(fT) 100MHz
集电极截止电流(Icbo) 100nA
集射极饱和电压(VCE(sat)) 500mV
工作温度 -55℃~+150℃

PDF描述:SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR 表面贴装型PNP硅晶体管

产品概述

BC858B 产品概述

一、概述

BC858B是一款高性能PNP型三极管,采用SOT-23(SOT-23-3)封装, 主要应用于小信号放大和开关电路。该型号由Hottech(合科泰)公司生产,适合各种消费电子和工业设备中对体积和性能有较高要求的电路设计。BC858B凭借其优良的电气特性、稳定的工作性能和紧凑的封装设计,广泛应用于放大器、开关电源和其他电子设备中。

二、关键参数

  1. 功率(Pd): BC858B的最大功耗为200mW,适合低功耗应用,使其成为小型便携设备的理想选择。

  2. 电流等级: 集电极电流(Ic)可达100mA,支持较高的负载,可以在多种工作条件下保持稳定。

  3. 电压等级:

    • 集射极击穿电压(Vceo)为30V,确保在多种应用中都能提供良好的耐压性能。
    • 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)为500mV@100mA,5mA,表明在驱动负载时的能量损耗相对较小,有助于提高电路的能效。
  4. 直流电流增益(hFE): BC858B在Ic为2mA、Vce为5V时的直流电流增益为220。这一高增益使得其能够在微弱信号条件下有效放大,从而增强了其在音频放大、信号处理等应用中的表现。

  5. 特征频率(fT): 100MHz的特征频率使得该三极管能够在高频信号传输中保持良好性能,适用于RF(射频)和高速开关电路。

  6. 集电极截止电流(Icbo): 只有100nA的集电极截止电流,表明在无输入信号的状态下,功耗非常低,利于能量的节约和电路的长时间稳定工作。

三、封装与应用场景

BC858B采用SOT-23封装,这种封装形式不仅体积小,节省电路板空间,还具备较好的散热性能,适合高密度电路设计。SOT-23封装也为自动化焊接和生产线上的高效装配提供了便利。

应用场景:

  • 消费电子: 适合手机、平板电脑、智能穿戴设备等的低功耗、小型化设计。
  • 音频设备: 可用于音频放大器,提供高增益与低噪声特性。
  • 开关电源: 适合用于各种开关电源管理应用,保证设备长期工作的稳定性与可靠性。
  • 信号处理: 在各类信号调理电路中,BC858B可以作为信号放大器,确保信号的有效传输。

四、总结

总体而言,BC858B是一个功能强大的PNP三极管,结合了高增益、低功耗及紧凑的封装设计,非常适合现代电子设备中的小信号处理和开关应用。随着电子产品向紧凑、高性能方向发展,BC858B无疑是设计师在选择三极管时值得优先考虑的元件。无论是在音频设备还是在高科技消费电子产品中,BC858B均能够提供可靠的性能,助力设计师实现更加智能与高效的电子系统。

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