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BC846B

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EVVO

品牌:

EVVO

型号:

BC846B

编号:

L58603556

包装:

-

批号:

-

封装:

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

描述:

-

  • 产品参数

产品参数

产品属性 属性值
商品目录 三极管(BJT)
晶体管类型 NPN
集电极电流(Ic) 100mA
集射极击穿电压(Vceo) 65V
耗散功率(Pd) 200mW

PDF描述:NPN general purpose transistors NPN通用晶体管

产品概述

BC846B 产品概述

一、产品简介

BC846B 是 ST(先科)推出的一款小信号 NPN 晶体管,采用 SOT-23 封装,面向通用开关与小信号放大场合。器件具有较高的直流增益和良好的高频特性,适合需要低电流增益放大与中等电压耐受的便携与空间受限电路。

二、主要电气参数

  • 晶体管类型:NPN
  • 集电极电流 Ic(max):100 mA
  • 集-射极击穿电压 Vceo:65 V
  • 功耗 Pd:300 mW(SOT-23,注意PCB散热)
  • 直流电流增益 hFE:典型 200–450(hFE=450 @ Ic≈2 mA, VCE=5 V)
  • 特征频率 fT:300 MHz(高频放大能力良好)
  • 集电极截止电流 Icbo:15 nA(低漏电流)
  • 集电极饱和电压 VCE(sat):约 600 mV @ Ic=10 mA, Ib=0.5 mA
  • 基-射极反向击穿 Vebo:6 V
  • 封装:SOT-23

三、性能特点

  • 高直流增益:在低电流工作点(约 2 mA)时增益可达 450,便于小信号电压放大,降低偏置电流需求。
  • 高频性能良好:fT≈300 MHz,适合 VHF 频段的小信号放大与驱动。
  • 低漏电流:Icbo≈15 nA,有利于高阻节点和低失真前端电路。
  • 中等电压耐受:Vceo=65 V,适用于一般中等电压开关场合。
  • SOT-23 小尺寸封装,便于表面贴装与高密度设计。

四、典型应用

  • 小信号放大器、前置放大与增益级
  • 电平转换与小电流开关(例如驱动光耦或继电器前级)
  • 高频驱动与模拟信号处理(VHF/超高频边界应用)
  • 便携设备、消费电子与传感器接口电路

五、使用建议与注意事项

  • 饱和驱动:若用作开关,按规格书示例,Ic=10 mA 时 Ib≈0.5 mA 可达到 VCE(sat)≈600 mV。实际应用可采用强迫 β(Ic/Ib)约 10–20 来确保饱和。
  • 基极保护:避免基-射极反向超过 Vebo=6 V,以防止基极结损坏。
  • 漏电与偏置:在高阻输入或高温环境下,注意 Icbo 随温度上升增加的影响,必要时采用偏流补偿或更低阻抗设计。
  • 建议在设计前查阅完整数据手册,确认最大结温与温度系数以保证长期可靠性。
  • 推荐在基极串联限流电阻,按 Rb=(Vin - Vbe)/Ib 计算(Vbe 约 0.65–0.8 V,视工作点而定)。

六、封装与热管理

SOT-23 封装体积小,但热阻较大。Pd=300 mW 是在良好散热条件下的器件耗散上限。实际电路中应通过加大 PCB 铜箔面积、使用过孔散热或多层板铜平面来降低结温,避免高功耗持续工作导致热失效。

七、选型建议

BC846B 适合需要高增益、低电流放大和中等电压耐受的小信号应用。如需更高电流能力或更低 VCE(sat),可考虑封装更大或专用功率开关型晶体管;如需更低噪声或更严格射频特性,可对比同系列或其他厂商的高频低噪元件。最终选型应以完整数据手册与实际电路仿真验证为准。

备注:具体引脚排列、最大工作温度与详细特性请参照生产厂商数据手册以获取完整可靠的设计参数。

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